注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMP6110SFDF-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
U-DFN2020-6
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.97W 60V 4.2A 1个P沟道 UDFN2020-6
库存 :
7814(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.32按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.32
--
100+
￥1.06
--
500+
￥0.959
--
2500+
￥0.888
--
5000+
￥0.846
--
10000+
￥0.791
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP6110SFDF-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 969pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 1.97W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMP6110SFDF-13手册
无数据
DMP6110SFDF-13概述
产品概述：DMP6110SFDF-13 P沟道MOSFET
DMP6110SFDF-13是一款高性能的P沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），旨在满足现代电子设备中对电源管理和信号完整性日益增长的需求。该产品由知名半导体制造商DIODES（美台）生产，封装形式为U-DFN2020-6，具有良好的散热性能和电气特性。
主要规格与特性
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 工作电流: 在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）达4.2A，适用于高负载场合
- 电阻特性: 在4.5V栅压下，最大导通电阻（Rds On）为110毫欧，显示其在高电流条件下的低导通损耗。此特性使得DMP6110SFDF-13在提升电源转换效率方面表现突出。
- 驱动电压: 支持最大4.5V和10V的驱动电压，提供灵活的驱动选择，适应不同电源设计需求。
关键电气参数
- 阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA的测试条件下，最大阈值电压为3V，这意味着在达到此电压后，器件将开始导通。
- 栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为17.2nC（在10V下测得），此参数对于开关速度和驱动电路的设计至关重要。
- 输入电容（Ciss）: 在30V下的输入电容最大值为969pF，提供理想的开关特性，特别适合高频应用。
- 功率耗散: 最大功率耗散为1.97W（在特定环境下），为高性能应用提供动力支持。
- 工作温度范围: DMP6110SFDF-13的工作温度范围为-55°C至150°C，确保其在严苛环境下的可靠工作。
封装与安装
DMP6110SFDF-13采用U-DFN2020-6封装，具有6个裸露焊盘设计，支持表面贴装技术（SMD）。这种封装方式优化了散热效果，降低了PCB空间需求，适合于小型化和高密度电路设计。
应用领域
DMP6110SFDF-13广泛应用于各种电源管理解决方案，包括：
- DC-DC转换器: 作为开关元件，在高效电力转换中发挥重要作用。
- 电动汽车和充电系统: 为电池管理系统提供优秀的控制能力。
- 消费电子产品: 应用于手机、平板电脑等设备中，以提高电池续航和充电效率。
- 工业自动化: 在电机驱动和控制系统中，用于提升响应速度和效率。
总结
DMP6110SFDF-13是一款先进的P沟道MOSFET，凭借其优异的电气性能和广泛的应用范围，为设计工程师提供了高效、可靠的选择。无论是在消费电子、工业自动化还是电源管理系统中，DMP6110SFDF-13都能为设备运行提供稳定、持久的支持，是现代电子设计中不可或缺的组件之一。