DMT616MLSS-13
DMT616MLSS-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.39W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽） | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.6nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 785pF @ 30V |
DMT616MLSS-13手册
DMT616MLSS-13概述
DMT616MLSS-13 产品概述
DMT616MLSS-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用表面贴装型封装（SO-8）。该元器件在各种电子应用中广泛使用，尤其适用于高效电子开关和电源管理等领域。其设计满足现代电子产品对功率和效率的苛刻要求，特别适合需要高频开关和快速响应的应用场景。
1. 产品哈希：
- 制造商：Diodes Incorporated
- 零件状态：有源
- FET类型：N通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 封装类型：8-SOIC（0.154" / 3.90mm宽）
2. 关键电气参数：
DMT616MLSS-13 在不同的工作条件下表现出良好的电气性能。其主要技术参数包括：
- 连续漏极电流 (Id)：最大发电在 25°C 时为 10A，该特性使该MOSFET在高负载下依然可以稳定工作。
- 漏源电压 (Vdss)：最高为 60V，这一电压支持广泛的应用场合，不仅限于小型电子设备，也适用于中等功率的通用电源。
- 最大功率耗散 (Pd)：在 25°C 时最大功率耗散为 1.39W，支持持续运行时的高效热管理。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 Vgs=10V 和 Id=8.5A 时，最大导通电阻为 14毫欧，表示该 MOSFET 在打开状态下的能量损耗较低，具备很高的导电能力。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：在最大值为 2.2V @ 250µA，能够在相对较低的控制电压下实现良好的导通状态。
3. 驱动电压与性能提升：
DMT616MLSS-13具体使用中，栅极驱动电压有两种选择：4.5V 和 10V。在这些电压下，器件能够达到不同级别的效率和热性能，尤其是在高频率切换时表现优异。栅极电荷 (Qg) 的最大值为 13.6nC @ 10V，使得该器件在高开关频率操作时，可以有效降低开关损耗。
4. 输入电容特性：
器件的输入电容 (Ciss) 最大为 785pF @ 30V，表明在高频操作时，该MOSFET能够快速响应并且保持较低的输入阻抗，从而增强系统的整体效率。较低的电容值也有助于降低控制电路的功耗，提高抗干扰能力。
5. 工作温度范围：
DMT616MLSS-13 的工作温度范围广泛，从 -55°C到 150°C，足以适应各种苛刻环境。这一特性使得该产品适用于汽车电子、工业控制、以及通信设备等广泛领域。
6. 应用场景：
考虑到其优良的电气参数，DMT616MLSS-13 适合于多种高性能应用，包括但不限于：
- DC-DC 转换器
- 负载开关
- 电机驱动
- 逆变器
- 高频开关电源
总结：
DMT616MLSS-13 是一个兼具高效、可靠以及耐用性的 N 通道 MOSFET，适合广泛的电子设计需求。其高度集成的特性和优异的性能参数为设计师提供了灵活性的选择。无论在需要快速响应的电源管理应用，还是在严苛的工业环境下，该 MOSFET 都能够提供超强的稳定性和显著的电气效能。