BSC042NE7NS3GATMA1

BSC042NE7NS3GATMA1 产品概述

产品简介

BSC042NE7NS3GATMA1是一款由英飞凌（Infineon）公司制造的高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。其设计目标是实现高效的能量转换和开关控制，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和其他需要高电流和高电压的电路中。凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围，该MOSFET成为了电力电子领域的理想选择。

技术规格

BSC042NE7NS3GATMA1具有以下主要技术参数：

1. FET类型：N通道
2. 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
3. 漏源电压（Vdss）：75V
4. 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
   • 19A（环境温度 Ta）
   • 100A（冷却条件 Tc）
5. 导通电阻（Rds On）：
   • 最大值：4.2毫欧（在50A、10V驱动电压下）
6. 阈值电压（Vgs(th)）：
   • 最大值：3.8V（在93µA电流下）
7. 栅极电荷（Qg）：
   • 最大值：69nC（在10V驱动电压下）
8. 最大栅源电压（Vgs）：±20V
9. 输入电容（Ciss）：
   • 最大值：4800pF（在37.5V下）
10. 功率耗散（Pd）：
    • 最大值：2.5W（在环境温度 Ta）
    • 125W（在冷却条件 Tc）
11. 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ）
12. 安装类型：表面贴装型
13. 封装：PG-TDSON-8-1, 8-PowerTDFN

应用场景

BSC042NE7NS3GATMA1 MOSFET由于其出色的电气特性，适用于多种高效率电源管理应用，包括但不限于：

• DC-DC转换器：为大多数电力转换系统提供高效的开关。
• 电动汽车充电器：在电动汽车的充电系统中作为关键的控制元件。
• 电源转换器与适配器：实现负载管理和高效能量转换。
• 工业控制系统：在高频率开关操作中提供可靠的性能。
• 通信设备：作为信号放大器和开关在高频应用中使用。

性能优越性

BSC042NE7NS3GATMA1在性能上的优越性使其成为众多电子设备设计工程师的理想选择。其低导通电阻Rds On及相对较高的漏极电流能力为各种功率管理应用提供了足够的驱动能力，能够有效降低系统的功耗和发热。此外，MOSFET的广泛温度工作范围和强大的功率处理能力使得它可以在极端环境下稳定运行。

结论

BSC042NE7NS3GATMA1是英飞凌公司推出的一款高效率、高性能的N通道MOSFET，适合用于各种电源管理和开关控制应用。它凭借其颇具竞争力的电气参数、广泛的工作温度范围以及紧凑的封装形式，展现出卓越的市场竞争力。无论是在消费电子、工业设备还是电动汽车等领域，BSC042NE7NS3GATMA1都能够提供用户所需的高效能和可靠性，是现代电源解决方案的重要组成部分。