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SPD04N80C3ATMA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 63W 800V 4A 1个N沟道 TO-252-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
8.38按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥8.38
--
100+
￥7.22
--
1250+
￥6.88
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
SPD04N80C3ATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.3 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 240µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 570pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 63W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SPD04N80C3ATMA1手册
无数据
SPD04N80C3ATMA1概述
SPD04N80C3ATMA1 产品概述
产品概述
SPD04N80C3ATMA1 是一款高性能的N沟道MOSFET，特意为需要高电压和大电流处理能力的应用设计。它具有800V的漏源电压（Vdss）、4A的连续漏极电流（Id），并且在高温环境下仍能提供出色的稳定性和可靠性。这款FET广泛应用于开关电源、逆变器、电动机驱动和其他高压功率电子设备，是实现有效电源管理和高效电能转换的重要组件。
技术特点
MOSFET技术：SPD04N80C3ATMA1采用先进的MOSFET技术，具备低导通电阻和高效率，确保在工作时能量损失最小。这使得器件在开关频率较高的条件下能表现出良好的电气性能。
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）：最高可达800V，适合于高电压应用.
- 连续漏极电流（Id）：在工作环境温度为25°C的情况下，器件可以提供4A的持续电流，适合多种中等功率应用。
- 最大导通电阻（Rds On）：在2.5A和10V的工作条件下，Rds On最大值为1.3Ω，确保出色的导通效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在240µA下，最大阈值电压为3.9V，提供了良好的开关控制特性。
输入和栅极电荷特性：
- 输入电容（Ciss）：在100V的工作条件下，最大输入电容为570pF。
- 栅极电荷（Qg）：在10V的栅极驱动电压下，栅极电荷最大值为31nC，确保快速驱动和响应时间。
功率耗散：该MOSFET的最大功率耗散能力为63W，符合高功率应用需求，并提供更高的热管理能力。
工作温度：SPD04N80C3ATMA1能够在-55°C至150°C的宽温度范围内安全运行，适合各种严苛的工作环境。
封装与安装
SPD04N80C3ATMA1采用TO-252-3（DPAK）封装，这种表面贴装型封装设计使其能够在自动化焊接过程中提高生产效率，并且适合于密集的PCB布局。TO-252-3的设计也提供了优越的热传导性能，确保器件在运行时不会过热，从而延长其使用寿命。
应用领域
由于其卓越的电气特性和可靠性，SPD04N80C3ATMA1 MOSFET在多个领域的应用中表现突出：
- 开关电源：在AC-DC和DC-DC转换器中充当开关元件，确保高效率转换。
- 电动机控制：使用于电动机驱动电路，提供高效的电能放大和控制。
- 逆变器：在光伏系统和其他可再生能源技术中用于逆变功能，提高能量转换效率。
- 工业控制：广泛用于各种工业自动化设备和可编程逻辑控制器（PLC）中，提高设备的响应和控制能力。
结论
总体而言，SPD04N80C3ATMA1是一款高品质、高性能的N沟道MOSFET，以其800V的高压能力和4A的电流处理能力，成为中高压应用的理想选择。其先进的技术和卓越的电气性能确保其在各种严苛环境下可靠运行，是电子设计工程师在构建高效可靠电源解决方案时的重要选择。