FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 140 毫欧 @ 1.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.6nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 315pF @ 40V |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
DMN6140LQ-13 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由 DIODES (美台) 生产。它采用小型 SOT-23 封装,适合用于空间受限的电子电路中,使得其在现代高密度电路应用中表现出色。该器件以其优越的电气性能,广泛应用于开关电源、马达控制、电池管理系统以及其他需要高效率和高功率密度的电子设备。
DMN6140LQ-13 MOSFET 具备诸多优点,使其适合于以下应用场合:
在设计时,工程师应考虑 DMN6140LQ-13 的最大工作电压、连续漏电流及功率耗散等关键参数,以确保元件在工作时不超过其极限,避免潜在的损坏。此外,工程师还需评估电路中其他元件的兼容性,包括驱动电路的输出能力和负载特性,以实现整体电路的高效稳定运行。
总体而言,DMN6140LQ-13 是一款强大的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的性能和广泛的应用范围,成为了许多电子设计的首选元件。无论是在消费者电子产品,还是在工业控制领域,该产品均能为设计者提供可靠性和性能的双重保证。