DMN6140LQ-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN6140LQ-13

商品编码: BM0084328408
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 700mW 60V 1.6A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
1970(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.04
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.04
--
100+
¥0.72
--
500+
¥0.654
--
2500+
¥0.606
--
5000+
¥0.566
--
10000+
¥0.529
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN6140LQ-13参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)140 毫欧 @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)8.6nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)315pF @ 40V
功率耗散(最大值)700mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

DMN6140LQ-13手册

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DMN6140LQ-13概述

DMN6140LQ-13 产品概述

DMN6140LQ-13 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由 DIODES (美台) 生产。它采用小型 SOT-23 封装,适合用于空间受限的电子电路中,使得其在现代高密度电路应用中表现出色。该器件以其优越的电气性能,广泛应用于开关电源、马达控制、电池管理系统以及其他需要高效率和高功率密度的电子设备。

主要参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体)
  • 漏源电压 (Vdss): 60V,适合于中等电压应用
  • 连续漏极电流 (Id): 1.6A(在 25°C 环境温度下),表明其可以处理的电流量较高
  • 驱动电压: 最大 Rds On 为 4.5V,最小 Rds On 为 10V,提供灵活的驱动选项
  • 导通电阻: 在 10V 的 Vgs 下,最大 Rds(on) 为 140 毫欧 @ 1.8A,确保在工作状态下的高导电性能
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 3V @ 250µA,适用于低电压驱动电路
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值 8.6nC @ 10V,表示开关速度快,有助于减少功耗
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 315pF @ 40V,提高了在高频应用时的工作效率
  • 功率耗散: 最大值为 700mW(Ta),适合于中小功率应用
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C,适应广泛的环境条件,特别是在苛刻的工业应用中
  • 封装/外壳: SOT-23 (TO-236-3、SC-59)

应用领域

DMN6140LQ-13 MOSFET 具备诸多优点,使其适合于以下应用场合:

  1. 开关电源: 在开关电源中,由于其低导通电阻,可以有效降低能量损耗,提高整体转换效率。
  2. DC-DC 转换器: 通过其良好的开关特性和输出电流能力,使得 DMN6140LQ-13 成为高效 DC-DC 转换器的理想选择。
  3. 马达控制: 适用于各类电动机驱动电路,能有效控制马达启动与停止,提高系统响应速度。
  4. 电池管理系统: 可用于电池的充放电管理,确保在充电和放电效率达到最优的同时,提高系统的可靠性和安全性。
  5. 其他高频开关电路: 由于其低栅极电荷和较小的输入电容,该 MOSFET 还适合在高频开关电路中使用,进一步提升系统性能。

设计考量

在设计时,工程师应考虑 DMN6140LQ-13 的最大工作电压、连续漏电流及功率耗散等关键参数,以确保元件在工作时不超过其极限,避免潜在的损坏。此外,工程师还需评估电路中其他元件的兼容性,包括驱动电路的输出能力和负载特性,以实现整体电路的高效稳定运行。

总体而言,DMN6140LQ-13 是一款强大的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的性能和广泛的应用范围,成为了许多电子设计的首选元件。无论是在消费者电子产品,还是在工业控制领域,该产品均能为设计者提供可靠性和性能的双重保证。