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DMN10H220LE-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT223
包装 :
编带
重量 :
0.292g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.8W 100V 2.3A 1个N沟道 SOT-223
库存 :
3348(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.909按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.909
--
100+
￥0.606
--
1250+
￥0.55
--
2500+
￥0.51
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN10H220LE-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 401pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
DMN10H220LE-13手册
无数据
DMN10H220LE-13概述
DMN10H220LE-13 产品概述
概述
DMN10H220LE-13 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用 SOT-223 封装，具备优异的电流控制和能量效率，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动和其他需要高效电源管理的电子设备中。此器件的设计满足高效率、低导通电阻和宽工作温度范围等现代电子产品的严格要求。
主要参数
- FET 类型: 作为 N 沟道 MOSFET，DMN10H220LE-13 可以有效控制更高的电流，提升开关效率。
- 漏源电压 (Vdss): 该器件最大漏源电压可达到 100V，使其能够在高电压应用中稳定工作。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，DMN10H220LE-13 支持高达 2.3A 的连续漏极电流，非常适合中等功率应用。
- 导通电阻 (Rds On): 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 1.6A 时，最大导通电阻为 220 毫欧，确保低功率损耗和高效率的电流传输。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 2.5V，适应较低的驱动信号，便于系统设计。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下的最大栅极电荷为 8.3nC，有助于快速切换，提高电路的工作频率和响应速度。
- 工作温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合高温或极端环境中的应用。
- 功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 1.8W，确保在高负载情况下的稳定性。
应用领域
DMN10H220LE-13 可广泛用于以下家电和工业设备中：
- 开关电源: 提供高效的电力转换和管理，减少能耗和成本。
- 电动马达驱动: 在工厂自动化、机器人和电动交通工具中，控制电机运行的效率与稳定性。
- 汽车电子: 为汽车中的电子控制单元提供高效的温度管理和开关控制。
- 便携式设备: 适用于手机、平板电脑等设备中，提高电池使用效率。
封装特点
DMN10H220LE-13 采用 SOT-223 (TO-261-4, TO-261AA) 表面贴装封装，具备小型化和轻量化设计，便于集成到密集布局的电路板中。其优异的热性能也使其在高功率应用中更具竞争力。
结论
总结而言，DMN10H220LE-13 是一款具有高效能、低导通电阻及广泛应用能力的高品质 N 沟道 MOSFET。凭借其多种工作参数和优势，它适用于现代电子产品的各种需求，能够帮助设计师实现高效的电源管理。无论是工业控制还是消费电子领域，DMN10H220LE-13 都是一个值得信赖的选择。