DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13 产品概述

概述

DMG4800LK3-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET，旨在满足现代电子设备对功率管理和电源开关的日益增长的需求。由著名半导体制造商 DIODES（美台）生产，此器件以其优越的电气特性和可靠性，广泛应用于各种电子设备，包括电源供应、 DC-DC 转换器、马达驱动器、LED 驱动、开关电源等领域。

关键特性

• FET 类型: 该器件属于 N 通道 MOSFET 类型，适合在多种高效开关应用中使用。
• 漏源电压 (Vdss): 额定漏源电压为 30V，此特性使其适用于需要中等电压操作的应用场景。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，DMG4800LK3-13 能够承受高达 10A 的连续漏电流，适合高负载条件的应用。
• 导通电阻 (Rds On): 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 9A 时，其最大导通电阻仅为 17 毫欧，确保在高电流操作下能保持较低的能量损耗。
• 阈值栅电压 (Vgs(th)): 最大 Vgs(th) 为 1.6V（在 250µA 流量下），提升了驱动电路设计的灵活性，能够在较低栅压下开启，从而适合自动化控制和保护电路。
• 栅极电荷 (Qg): 在 Vgs 为 5V 时，栅极电荷最大值为 8.7nC，有效降低了开关损耗和驱动电路的功耗。
• 输入电容 (Ciss): 在 Vds 为 10V 的情况下，其输入电容最大值为 798pF，保证了较快的开关速度。
• 功率耗散: 最大功率耗散为 1.71W（Ta），为器件提供了可靠的热管理性能，以避免过热失效。
• 工作温度范围: 器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适用于严苛的工作环境。
• 封装类型: DMG4800LK3-13 采用 TO-252 表面贴装封装，通用性强，便于自动化制造。

应用领域

DMG4800LK3-13 的优越性能使其成为多个行业的理想选择。具体应用包括但不限于：

1. 开关电源: 由于其高效率和低导通电阻，适用于高频开关电源的应用。
2. DC-DC 转换器: 该器件可用于提高转换效率，降低热效应，适合电源管理和电池供电设备。
3. 马达驱动器: 在控制电机的过程中提供高效的开关性能，是电动工具和家用电器等应用的优选器件。
4. LED 驱动: 能够在LED照明和背光的应用中提供稳定的电流和低功耗特性。
5. 保护电路与自动化设备: 其低阈值栅压特性使其能够用于过流、过压保护电路设计。

总结

DMG4800LK3-13 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，具备现代电路设计所需的电气特征和热性能，能够满足各种苛刻应用的需求。凭借其可靠性、经久耐用性和多样化的应用场景，DMG4800LK3-13 以其卓越的性价比，成为电子工程师和设计师们的首选元件之一。在当今竞争激烈的市场环境中，它为提升电子产品的性能和功率管理提供了强大的支持。