DMG8822UTS-13
DMG8822UTS-13参数
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.9A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 8.2A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 841pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 870mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
DMG8822UTS-13手册
DMG8822UTS-13概述
产品概述：DMG8822UTS-13 MOSFET
DMG8822UTS-13是一款由DIODES（美台）公司制造的高性能绝缘栅场效应管（MOSFET），其设计旨在满足现代电子电路在高效能和小型化方面的需求。此产品的特性使其非常适合在各种应用场景中广泛使用，包括开关电源、直流-直流转换器、马达驱动、负载开关等。
关键参数
FET类型与特性： DMG8822UTS-13是双N沟道共漏的标准MOSFET，具备低导通电阻和高电流承载能力。其漏源电压（Vdss）为20V，确保在较高电压环境中稳定工作，而25°C时，耗尽式漏极电流（Id）可达到4.9A，显示出其较强的负载能力。
导通电阻： 在工作条件下，其最大导通电阻为25毫欧，且在电流为8.2A和栅压为4.5V时依然保持如此低的数值。这一特性使得DMG8822UTS-13在开关效率和功率损耗方面表现出色，有助于提升整体能源利用效率。
阈值电压与栅极电荷： DMG8822UTS-13具有最大Vgs(th)（阈值电压）为900mV，确保其在较低栅压下也能有效导通。此外，其栅极电荷Qg（最大值）为9.6nC（在4.5V下）提供了良好的驱动特性，这使得该MOSFET可以快速开关，适应高频率应用，提高了系统的响应速度。
输入电容： 输入电容Ciss的最大值为841pF（在10V下），这一参数对于串联驱动电路的选择至关重要，能够有效影响驱动电路的设计，降低开关损耗。
功率与工作温度： DMG8822UTS-13的最大功率为870mW，能够在多种环境条件下保持良好的工作特性。它的工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），使得该器件可以在高温、高湿的极端条件下稳定运行，适应于汽车电子、工业控制等严苛环境。
封装与安装类型
DMG8822UTS-13采用8-TSSOP封装，这种表面贴装型设计使其在PCB设计中占用更少的空间，易于自动化组装。4.40mm宽的封装设计能够有效减少信号干扰，有利于提高系统的整体性能。
应用领域
DMG8822UTS-13广泛应用于各个电子领域，包括：
- 开关电源： 提供高效率的开关控制，降低功耗。
- 马达驱动： 实现高效驱动，减少热量输出，提高电机效能。
- 负载开关： 以低通阻和高流量来提升设备的稳定性。
- 电源管理： 用于智能电源设备，以保持高效能和可靠性。
总结
DMG8822UTS-13作为高性能的绝缘栅场效应管，凭借其优秀的导通电阻、较高的电流承载能力和极广的工作温度范围，在多个应用上展现出卓越的性能。其小型化设计与高效率使其成为当今电子产品设计中不可或缺的元件之一。在需求日益增加的现代电子领域，DMG8822UTS-13无疑将继续为 designers 和工程师提供高效的解决方案，推动技术的进步和产品的智能化。