晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 63 @ 150mA,2V |
功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89 |
BCX5310TA 是一款高性能的 PNP 晶体管,专为各种电子设备中的开关和放大应用而设计。该晶体管的工作电流可高达 1A,最大耐压达到 80V,适合在宽广的电压和电流范围内进行可靠的操作。作为一款表面贴装型元器件,其采用 SOT-89 封装,使其在现代电子设备中的适用性更加灵活且高效。
额定电流与耐压:BCX5310TA 的集电极电流 (Ic) 最大可达 1A,适合于大多数需要较高电流输出的电路设计。同时,其集射极击穿电压 (Vce) 可达到 80V,这使得该器件在高压应用中表现出色,能够承受瞬态电压而不损坏。
低饱和压降:在 50mA 和 500mA 的不同工作条件下,晶体管的 Vce 饱和压降保持在 500mV,显示出其优异的电性能。这种低饱和压降能够有效降低功耗,提高电路的整体效率,尤其是在需要高效开关操作的应用中。
高增益特性:在 150mA 和 2V 的条件下,BCX5310TA 的 DC 电流增益 (hFE) 最小值为 63,表现出良好的信号放大能力,使其适用于各种音频和射频应用。
低漏电流:在截止状态下,其集电极漏电流 (ICBO) 低至 100nA,适合应用于低功耗电路,减少不必要的电量损耗,延长设备的电池寿命。
高频特性:BCX5310TA 的跃迁频率高达 150MHz,适合用于高频应用,包括无线通信和射频放大器等领域,确保信号完整性和传输效率。
宽工作温度范围:此器件的工作温度范围从 -65°C 到 150°C,使其能够在极端环境下稳定工作,适应航空航天、汽车电子以及工业控制等应用场景的需求。
BCX5310TA PNP 晶体管广泛应用于:
BCX5310TA 采用 SOT-89 封装,体积小巧、重量轻,适合于紧凑型电路板设计。其表面贴装型的特点简化了安装过程,减少了对焊接工序的需求,增加了生产效率。对于自动化生产线,该设计提供了良好的兼容性和便捷性。
BCX5310TA PNP 晶体管凭借其优良的电气性能、广泛的工作环境适应性及小巧的尺寸,成为各类电子设备设计中的理想选择。无论是在高频通信、音频放大还是电源管理,BCX5310TA 都展现了其不可替代的重要性,为各类电子应用提供了强大支持。选择 BCX5310TA,意味着选择了可靠性与高效性的结合,是现代电子电路设计的优质解决方案。