DMP3036SFV-13
DMP3036SFV-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.5nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1931pF @ 15V |
DMP3036SFV-13手册
DMP3036SFV-13概述
DMP3036SFV-13 产品概述
DMP3036SFV-13 是由Diodes Incorporated制造的一款高性能P沟道MOSFET（场效应管），广泛应用于各种电子设备的电源管理和开关电路中。这款器件提供了卓越的电流承载能力和低导通电阻，适合要求严格的应用。
产品特性
高电流承载能力：DMP3036SFV-13在25°C时能够持续承载30A的漏极电流（Id），这使得它在高负载条件下仍能保持稳定的性能。其持续的电流能力使得该MOSFET在高功率应用中极具竞争力，能够用于逆变器、电动机控制以及电源开关等场景。
低导通电阻：在Vgs为10V，Id为8A的条件下，导通电阻（Rds On）最大值仅为20毫欧。低导通电阻意味着可以减少在正常运行时的功率损耗，提高系统的整体效率。
合适的开启电压：该元器件的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大为2.5V（在250µA电流下测得），这使得其在较小的控制电压下即可开启，适用于低电压驱动应用。
广泛的工作温度范围：DMP3036SFV-13的工作温度范围为-55°C ~ 150°C，适合高温和低温环境的各种应用。这种耐温特性为设计者提供了灵活性，确保即使在极端条件下也能正常工作。
先进的封装设计：该MOSFET采用PowerDI3333-8封装，是一种表面贴装型的封装，便于自动贴片和焊接工艺。其出色的热性能设计有助于提高产品可靠性。
低栅极电荷：在Vgs为10V的条件下，栅极电荷（Qg）最大值为16.5nC，表现出较低的驱动要求，适合于快速开关应用，可减少驱动电路的功耗。
输入电容特性：在Vds为15V的条件下，DMP3036SFV-13的输入电容（Ciss）最大值为1931pF，提供了良好的频率响应，能够高效地运作于高频开关应用中。
应用领域
DMP3036SFV-13因其卓越的性能和特性，适用于多种应用场景：
电源管理：可广泛应用于开关电源、DC-DC变换器等电源管理设计中，能够有效地控制电源的流动，提升效率。
电动机驱动：在电动机控制电路中，扮演重要的开关角色，为电动机提供稳定的电源输入。
消费电子产品：由于其优良的热性能和低功耗特性，DMP3036SFV-13非常适合用于移动设备、家用电器等消费类产品。
工业自动化：在工业设备中，力求高效和可靠性的MOSFET可应用于各种自动化控制模块中。
结论
DMP3036SFV-13不仅拥有高电流承载能力和低导通电阻，且具备广泛的工作温度范围和先进的封装技术，使其在多个领域的电源管理和开关应用中脱颖而出。其卓越的性能表现，使得该产品成为电子工程师在电源设计中的理想选择，助力实现更加高效和可靠的电子系统。无论是在工业控制、消费电子还是新兴技术应用中，DMP3036SFV-13都将是具有竞争力的解决方案。