ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC 产品概述

ZXMC10A816N8TC是一款高性能的表面贴装型双向MOSFET，结合了N沟道和P沟道的特性，广泛应用于现代电子电路中。其工作电压范围高达100V，额定电流为2A，适合各种低功耗和高效能的电源管理应用。由于其优异的热稳定性和高工作温度范围，这款MOSFET在苛刻的环境条件下依然能稳定工作，温度范围为-55°C至150°C（TJ）。

主要参数

1. 安装类型: ZXMC10A816N8TC采用表面贴装型（SMD）封装，方便PCB布局和自动化生产，提高生产效率。
2. 导通电阻: 在1A和10V的条件下，其导通电阻最大值为230毫欧。低导通电阻意味着在正常工作期间能够减少能量损失，提高整体能效。
3. 连续漏极电流（Id）: 该产品能够承受最大连续漏极电流为2A，非常适合中等功率的开关应用。
4. 输入电容（Ciss）: 在50V的条件下，其输入电容的最大值为497pF，表明在高频应用中能够保持良好的开关性能。
5. 栅极电荷（Qg）: 最大值为9.2nC @ 10V, 较低的栅极电荷能够促进快速切换，适合高速开关电源应用。
6. 漏源电压（Vdss）: 高达100V的漏源电压使得ZXMC10A816N8TC非常适合高压电路设计。
7. Vgs(th): 最大阈值电压为2.4V @ 250µA，支持逻辑电平驱动，从而简化了电路设计，提高了集成度。

应用场景

ZXMC10A816N8TC主要用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源、LED驱动器和电源跟随器等应用。这款产品特别适合需要高效率、低导通损耗的场合，例如：

• 开关电源: 在开关电源中，ZXMC10A816N8TC能够提供低的导通电阻和高的开关频率，显著提高功率转换效率。
• 电机驱动: 鉴于其高的电流处理能力，这款MOSFET在电机驱动应用中也表现出色，确保快速响应和高效控制。
• LED照明: 其低栅极电荷和高工作效率使得ZXMC10A816N8TC非常适合LED驱动电路，能够有效减少热量生成，增加LED的寿命。

优势

1. 高性能: 由于其卓越的电气特性，这款MOSFET在电源转换和功率管理应用中具有非常高的性能。
2. 多功能性: 作为一个集成了N及P沟道MOSFET的产品，ZXMC10A816N8TC在多种电路设计中均具备极大的灵活性。
3. 长寿命和可靠性: 该产品的工作温度范围广泛，出色的热稳定性保证了在苛刻环境中的长期可靠性。

结论

ZXMC10A816N8TC凭借其优异的性能指标和出色的应用适配性，成为现代电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在高效能电源应用还是电动机控制系统中，该款MOSFET都展现出其强大的优势。作为DIODES（美台）旗下的产品，ZXMC10A816N8TC不仅在性能方面达到了行业领军水平，而且在可靠性和稳定性方面的表现同样令人瞩目，适合各种严苛的工业和消费电子产品设计需求。