DMN2114SN-7
DMN2114SN-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 180pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SC-59-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN2114SN-7手册
DMN2114SN-7概述
DMN2114SN-7 产品概述
DMN2114SN-7 是一款高性能的N通道MOSFET，专为处理低压高电流应用而设计，广泛适用于各种电子电路和系统中，如电源管理、负载开关和信号开关等。它由知名半导体制造商DIODES（美台）生产，尤其适合表面贴装（SMD）板级开发和应用。
主要特性
N 通道技术: 该MOSFET使用N通道技术，这使得它在低导通电阻和快速响应特性方面具有显著优势，非常适合高频开关和高效能电源转换应用。
漏源电压 (Vdss): DMN2114SN-7的漏源电压极限为20V，适合在低电压环境下工作。这一特性使其非常适合于低功耗设备和小型电源管理电路。
连续漏极电流 (Id): 在25°C时，DMN2114SN-7的连续漏极电流可达到1.2A，表明该器件能够支持较大的负载电流，适用于高功率设备。
导通电阻 (Rds(on)): 在4.5V的栅源电压下，导通电阻最大值仅为100毫欧 @ 500mA。这项特性极大地降低了在开关状态下的功耗，提高了整体电路效率，适合各种电源管理和开关应用。
驱动电压 (Vgs): DMN2114SN-7支持的驱动电压范围在2.5V至4.5V之间，体现出较好的驱动兼容性，适合多种控制逻辑电平的应用。
阈值电压 (Vgs(th)): 在1mA电流下，阈值电压最大值为1.4V。这一参数允许更低的驱动电压，从而进一步简化电路设计。
功率耗散: 最大功率耗散为500mW，适合中等功率的电源应用。
广泛的工作温度范围: DMN2114SN-7的工作温度范围为-55°C到150°C，适合于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、工业控制和消费电子产品。
封装和安装
该MOSFET采用SC-59封装，尺寸小巧，适合表面贴装。这种封装形式在现代电子产品中非常流行，尤其在空间受限的应用场景中，能够有效节省PCB空间，便于大规模自动化生产。
典型应用
DMN2114SN-7的设计使其能够广泛应用于以下几个方面：
- 电源管理: 适用于电源开关、电池管理和电流调节等应用，提高了整体能量转换效率。
- 负载开关: 可以作为负载开关在各种设备中使用，能有效控制电源的开关状态，节省功耗。
- 信号开关: 适用于快开关和小信号应用，广泛应用于数据采集、电路控制等场景。
总结
DMN2114SN-7是一款性能优良、高集成度的N通道MOSFET，适合低电压高电流的多种应用。它的低导通电阻、高驱动兼容性和宽工作温度范围，使其不仅在消费电子产品中表现卓越，同时也在工业和汽车电子领域得到了广泛应用。选择DMN2114SN-7，可以有效提升您的电路设计效率和性能，推动创新和提升市场竞争力。