DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13 产品概述

产品简介

DMG6968UTS-13 是一款具有优异性能的 N 沟道增强型场效应管（MOSFET），其主要用于逻辑电平门控制和功率管理应用。该器件由著名半导体制造商 DIODES（美台）生产，结合了紧凑的 TSSOP-8 封装形式和性能卓越的电气参数，使其成为多种电子电路设计中的理想选择。

基本参数

• FET 类型：双 N 沟道（共漏）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 条件下可达到最大 5.2A
• 栅极源电流开启电压（Vgs(th)）：最大值 950mV @ 250µA，表明该器件可在较低的栅极驱动电压下有效工作。
• 导通电阻（R_DS(on)）：在 6.5A 和 4.5V 的条件下，最大值为 23mΩ，显示出极低的导通损耗。
• 栅极电荷（Qg）：最大值 8.8nC @ 4.5V，体现了该器件开关速度快的优点。
• 输入电容（Ciss）：最大值 143pF @ 10V，适合高频应用。
• 功率等级：最大功率可达 1W，适用于中小功率处理的场景。
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C，充分满足严酷环境下的使用需求。
• 安装类型：表面贴装型，便于实现高密度 PCB 布局。
• 封装：8-TSSOP，尺寸为 0.173"（4.40mm 宽），适合对空间有严格要求的设计。

应用场景

DMG6968UTS-13 的设计适用于多种应用，其中包括但不限于：

1. 电源管理：该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、线性稳压器、电源开关等场合，能够有效地管理和控制电流与电压。

2. 逻辑电平门：MOSFET 的逻辑电平特性使其非常适合用于数字电路中，如微控制器和其他逻辑器件的接口电路。

3. 信号放大：由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件可以在低电流和高频率下实现信号的有效放大。

4. 马达驱动：尤其适合简单的马达驱动应用，在负载变化时表现出色，能满足电流与电压的要求。

5. LED 驱动：DMG6968UTS-13 可用于 LED 模块的驱动，为 LED 提供稳定的电流，从而提高亮度和延长使用寿命。

可靠性与稳定性

DMG6968UTS-13 具备优良的可靠性和稳定性，在宽广的工作温度范围内（-55°C 至 150°C）提供持续的性能，适合工业、汽车和消费电子等多种领域的应用。器件的表面贴装设计更具抗震性和耐用性，有助于提升整体系统的可靠性与维护方便性。

结论

作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET，DMG6968UTS-13 展现出了出色的电气特性和广泛的应用潜力，适合多种电子设计和改进项目。其低导通电阻、快速开关速度和宽工作温度范围使其在现代电子设计中无疑是一个极具竞争力的选项，能够满足高效能电源管理、逻辑控制和信号处理中对器件性能的高要求。随着电气设备日益增长的需求，DMG6968UTS-13 将在未来的应用中持续发挥重要作用。