制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 散装 |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,2V | 频率 - 跃迁 | 240MHz |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | E-Line-3 | 供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 25V |
功率 - 最大值 | 1W | 基本产品编号 | ZTX649 |
ZTX649是一款由Diodes Incorporated制造的高性能NPN型晶体管,广泛应用于各种电子电路中。凭借其优异的电气特性和较广的工作温度范围,ZTX649成为设计师偏爱的选择,尤其在功率放大和开关应用场景中表现卓越。
ZTX649是一个1W功率等级的NPN晶体管,其最大集电极电流(Ic)可达2A,最大集电极-发射极电压(Vce)为25V。这种高集电极电流及较低的饱和压降(Vce饱和压降最大值为500mV @ 200mA和2A)使其非常适合用于高效率的功率转换和信号放大应用。此外,ZTX649具有较低的集电极截止电流(ICBO),其最大值为100nA,确保在电路关断状态下损耗最小化,从而提高整体能效。
这款晶体管在频率方面也表现优秀,跃迁频率达到240MHz,意味着它能够在高频应用中稳定操作。同时,ZTX649在不同的集电极电流(Ic)和集电极-发射极电压(Vce)条件下的直流电流增益(hFE)也十分可观,最低达到100(1A,2V情况下)。这一特性使得ZTX649在实现一定增益的同时,保持了较高的工作效率。
ZTX649的工作温度范围从-55°C至200°C,使其能够在极端环境条件下稳定工作。这一特性特别适合于汽车、航空航天及工业控制等领域,它们往往需要组件在严苛条件下运行。此外,较宽的工作温度范围也增强了ZTX649的可靠性,降低了因温度变化导致的故障率。
ZTX649采用E-Line(TO-92兼容)封装,符合通孔安装(THT)技术,这种封装形式广泛应用于各种电路板设计中,便于机械固定和焊接,适合快速原型制作和批量生产。其散装包装形式也为设计师提供了灵活性,能够根据具体需求进行购买。
由于以上特点,ZTX649特别适合以下应用场景:
综上所述,ZTX649凭借其高性能、高可靠性及灵活的应用范围,成为各类电子设计工程师和开发者的优选晶体管。无论是在消费电子、工业自动化,还是在汽车及航空航天领域,ZTX649都展现了其卓越的性能优势,能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的苛刻要求。