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ZVNL110ASTZ
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
EP3SC
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 700mW 100V 320mA 1个N沟道 TO-92-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.69按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.69
--
100+
￥2.07
--
1000+
￥1.8
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZVNL110ASTZ参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 320mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 75pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | E-Line（TO-92 兼容） | 封装/外壳 | E-Line-3 |
ZVNL110ASTZ手册
无数据
ZVNL110ASTZ概述
ZVNL110ASTZ 产品概述
产品类型
ZVNL110ASTZ 是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物场效应管），由知名供应商DIODES（美台）生产。该器件专为需要高效率和可靠性的应用场景设计，广泛用于电源管理、开关电源、马达驱动及其他功率电子设备中。
基本参数
- 漏源电压 (Vdss): 该MOSFET的最大漏源电压为100V，适合用于高压电路应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在额定环境温度下（25°C），其连续漏极电流可达320mA，这使其适合于低功耗的中等负载应用。
- 导通电阻 (Rds On): 在10V的栅极驱动电压和500mA的漏极电流下，最大导通电阻为3欧姆。这一特点使得其在开启状态下的功率损耗较小，从而提高了整体能效。
- 驱动电压 (Vgs): 对于最佳性能，该器件在5V和10V的驱动电压下工作，能够在不同电压条件下实现良好的开关特性。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 该产品在1mA漏极电流时，最大阈值电压为1.5V，表明其启动电压较低，有助于在低电压环境下实现快速开关。
电气特性
- 输入电容 (Ciss): 在25V时，输入电容最大为75pF，优异的输入特性导致其在快速开关时尤为适合，减少了开关损耗。
- 功率耗散: 该器件的最大功率耗散为700mW，适应多种应用环境。在设计电路时需要确保功率损耗保持在安全范围内，以避免过热。
- 工作温度范围: 其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于极端环境条件的应用，使其可以在高温或低温的严苛条件下表现出色。
封装及安装
- 封装类型: ZVNL110ASTZ采用E-Line（TO-92兼容）封装，安装类型为通孔，便于在多种PCB设计中使用。此外，该器件还具有较小的外形尺寸，有助于提升空间利用率。
- 封装外壳: 封装设计为E-Line-3，提供良好的散热性能以及电气隔离。
应用场景
ZVNL110ASTZ广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 由于其低导通电阻和快速开关特性，该MOSFET可用于降低损耗并提高转换效率。
- 马达驱动: 在电机控制电路中，能有效提高驱动能力，优化性能。
- 电池管理系统: 用于在充放电过程中实现高效率的开关控制。
- LED驱动电路: 有助于在LED照明设备中实现高效能量转换。
- 消费电子产品: 由于其小巧的封装，适合在各种小型消费电子设备中使用。
总结 ZVNL110ASTZ会议致力于在控制和转换电能方面实现最佳性能，适合于多种工业和消费电子应用，尤其是在需要高频率及高效能的开关电路场合。由于它的宽工作温度范围和优越的电气特性，这使得它成为工程师在设计电源管理和驱动电路时的优秀选择。无论是设计复杂的电源系统还是简单的开关应用，ZVNL110ASTZ都能满足高效、可靠的设计需求。