制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 散装 |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 400mA,4A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 2A,2V | 频率 - 跃迁 | 130MHz |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | E-Line-3 | 供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
功率 - 最大值 | 1.2W | 基本产品编号 | ZTX853 |
ZTX853 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 晶体管。这种晶体管在多种电子应用中被广泛使用,特别适用于要求高电流和高频响应的场合。其结构采用了标准的 TO-92 兼容封装,便于在各种电路板上进行通孔安装,使得设计工程师可以轻松集成到现有的电子设备中。
ZTX853 的主要电气参数如下:
该晶体管在性能上另外一个突出的特点是其直流电流增益(hFE)。在 2A 和 2V 的条件下,ZTX853 的最小 DC 电流增益为 100。这意味着该晶体管能够在较小的基极电流下控制较大的集电极电流,适用于放大和开关电路。同时,它的跃迁频率为 130MHz,确保了其能够在高速切换信号中表现出色。
ZTX853 的工作温度范围从 -55°C 到 200°C,广泛适用于各种恶劣环境。这种耐高温的特性使得它成为航空航天、军事以及工业控制系统等高要求应用场景的理想选择。其封装采用了 E-Line-3 形式,无论是在 PCB 设计还是在散热管理方面都给予了设计师更大的灵活性。其 TO-92 兼容的外壳形式也便于在不同设备间进行通用。
由于其极高的电流增益和出色的频率性能,ZTX853 被广泛应用于多种电子设备中,包括:
总之,ZTX853 是一款出色的 NPN 晶体管,适用于高电流、高速和高温环境下的电子应用。无论是在音频放大、开关控制还是功率调节中,它都能够提供高效且可靠的性能。其优异的电气参数和坚固的结构设计使得 ZTX853 成为市场上的热门选择,在需求不断增长的电子行业中提供了重要的支撑。作为设计工程师,可以信赖这款器件以满足苛刻的性能标准和环境要求。