ZTX853 产品实物图片
ZTX853 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZTX853

商品编码: BM0084328361
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
EP3SC
包装 : 
编带
重量 : 
0.26g
描述 : 
三极管(BJT) 1.2W 100V 4A NPN TO-92-3
库存 :
5995(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
3.29
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.29
--
100+
¥2.73
--
1000+
¥2.53
--
2000+
¥2.42
--
4000+
¥2.31
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZTX853参数

制造商Diodes Incorporated包装散装
零件状态有源晶体管类型NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 400mA,4A电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 2A,2V频率 - 跃迁130MHz
工作温度-55°C ~ 200°C(TJ)安装类型通孔
封装/外壳E-Line-3供应商器件封装E-Line(TO-92 兼容)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)4A电压 - 集射极击穿(最大值)100V
功率 - 最大值1.2W基本产品编号ZTX853

ZTX853手册

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ZTX853概述

ZTX853 产品概述

ZTX853 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 晶体管。这种晶体管在多种电子应用中被广泛使用,特别适用于要求高电流和高频响应的场合。其结构采用了标准的 TO-92 兼容封装,便于在各种电路板上进行通孔安装,使得设计工程师可以轻松集成到现有的电子设备中。

基本参数

ZTX853 的主要电气参数如下:

  • 电流 - 集电极(Ic): 最大值可达 4A,适用于对电流需求较大的应用场景。
  • 电压 - 集射极击穿(Vceo): 最大击穿电压为 100V,使其能在较高电压环境下稳定工作。
  • 功率 - 最大值: 可承受的最大功率为 1.2W,确保其在高功率应用中能够有效散热并保持性能。
  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(Vce(sat)): 在 400mA 的集电极电流下,饱和压降可低至 200mV,这对于在开关电路中减少能量损耗至关重要。
  • 电流 - 集电极截止(ICBO): 最大值为 50nA 的集电极截止电流,表现出良好的关断特性和低泄漏电流。

增益和频率特性

该晶体管在性能上另外一个突出的特点是其直流电流增益(hFE)。在 2A 和 2V 的条件下,ZTX853 的最小 DC 电流增益为 100。这意味着该晶体管能够在较小的基极电流下控制较大的集电极电流,适用于放大和开关电路。同时,它的跃迁频率为 130MHz,确保了其能够在高速切换信号中表现出色。

工作温度和封装

ZTX853 的工作温度范围从 -55°C 到 200°C,广泛适用于各种恶劣环境。这种耐高温的特性使得它成为航空航天、军事以及工业控制系统等高要求应用场景的理想选择。其封装采用了 E-Line-3 形式,无论是在 PCB 设计还是在散热管理方面都给予了设计师更大的灵活性。其 TO-92 兼容的外壳形式也便于在不同设备间进行通用。

应用场合

由于其极高的电流增益和出色的频率性能,ZTX853 被广泛应用于多种电子设备中,包括:

  • 音频放大器:在音频处理和放大电路中,可以提供高品质的信号放大。
  • 开关电路:由于其低饱和电压特性,能够高效控制负载。
  • 功率调节:在电源管理领域,可以实现高效的电流调整和管理方案。
  • 感应应用:在传感器和其他检测设备中,发挥良好的信号放大特性。

结论

总之,ZTX853 是一款出色的 NPN 晶体管,适用于高电流、高速和高温环境下的电子应用。无论是在音频放大、开关控制还是功率调节中,它都能够提供高效且可靠的性能。其优异的电气参数和坚固的结构设计使得 ZTX853 成为市场上的热门选择,在需求不断增长的电子行业中提供了重要的支撑。作为设计工程师,可以信赖这款器件以满足苛刻的性能标准和环境要求。