FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 320mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4 欧姆 @ 1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 75pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) | 封装/外壳 | E-Line-3 |
ZVN2110ASTZ 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(金属氧化物场效应管),广泛应用于开关电源、功率放大器、低通滤波器以及其他电子设备中。此器件由美台品牌 DIODES 生产,具备出色的电流控制能力及热管理特性,适用于多种电子应用。
电气特性
开关性能
功率参数
工作环境
封装形式
由于其杰出的电气特性,ZVN2110ASTZ 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
ZVN2110ASTZ 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET,具备高效能的电气特性以及可靠的工作环境适应能力。凭借其多样的应用场景和稳定的性能,理想用于现代电子设备中的各类应用。无论是在消费电子,工业设备还是汽车电子,ZVN2110ASTZ 都是能够满足复杂应用需求的优秀选择。选择 ZVN2110ASTZ,将有助于提升您的设计质量,确保项目的成功与稳定运行。