ZVN2110ASTZ 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZVN2110ASTZ

商品编码: BM0084328360
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
EP3SC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 700mW 100V 320mA 1个N沟道
库存 :
1407(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.87
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.87
--
100+
¥2.2
--
1000+
¥1.92
--
2000+
¥1.81
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZVN2110ASTZ参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)320mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 1mAVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)75pF @ 25V功率耗散(最大值)700mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔
供应商器件封装E-Line(TO-92 兼容)封装/外壳E-Line-3

ZVN2110ASTZ手册

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ZVN2110ASTZ概述

ZVN2110ASTZ 产品概述

概述

ZVN2110ASTZ 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(金属氧化物场效应管),广泛应用于开关电源、功率放大器、低通滤波器以及其他电子设备中。此器件由美台品牌 DIODES 生产,具备出色的电流控制能力及热管理特性,适用于多种电子应用。

主要特性

  1. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss): 最大达到 100V,适合高电压应用,能满足相对苛刻的电压条件。
    • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下, ZVN2110ASTZ 支持最高连续漏极电流为 320mA,能够有效驱动各种负载。
    • 导通电阻(Rds On): 在 10V 的栅极电压下,导通电阻最大为 4Ω @ 1A,这为在较高电流下的高效工作提供了良好的条件,从而提高了能效比。
    • 栅极源电压(Vgs): 最大可承受 ±20V,允许灵活的驱动条件与设计方案。
  2. 开关性能

    • 输入电容(Ciss): 最大为 75pF @ 25V,影响开关速度与高频性能,使其适用于高频应用。
    • 阈值电压(Vgs(th)): 最大恒定为 2.4V @ 1mA,这保证了在较低电压下也能启动调制,从而有效降低功耗。
  3. 功率参数

    • 功率耗散: 最大功率耗散为 700mW(在室温下),这使得该器件能够在较高功率条件下稳定工作,适合需要高热散发的场合。
  4. 工作环境

    • 工作温度: ZVN2110ASTZ 可以在-55°C ~ 150°C 的广泛温度范围内工作,适合各种工业级应用,包括汽车电子和航空航天等领域。
  5. 封装形式

    • 该器件采用 E-Line(兼容 TO-92)的通孔安装形式。此封装小巧而便于向电路板的集成,适合空间受限的应用。

应用领域

由于其杰出的电气特性,ZVN2110ASTZ 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源: 能够高效转换电能,适合用于开发各种电源管理系统。
  • 电机控制: 适合用于直流电机、步进电机的驱动控制,帮助提高效率与响应速度。
  • 信号放大: 在射频和音频放大器中应用,能够实现较高的增益和良好的线性性能。
  • 低通滤波器: 用于信号处理和滤波器电路,可以对信号进行有效的处理与控制。

结论

ZVN2110ASTZ 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET,具备高效能的电气特性以及可靠的工作环境适应能力。凭借其多样的应用场景和稳定的性能,理想用于现代电子设备中的各类应用。无论是在消费电子,工业设备还是汽车电子,ZVN2110ASTZ 都是能够满足复杂应用需求的优秀选择。选择 ZVN2110ASTZ,将有助于提升您的设计质量,确保项目的成功与稳定运行。