晶体管类型 | NPN - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 160V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.2V @ 10mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 2000 @ 500mA,10V |
功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | E-Line-3 | 供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
产品概述
ZTX601是一款高性能的NPN达林顿晶体管,广泛应用于各种电子电路中,尤其适合需要高增益和良好开关特性的场合。该晶体管具有出色的电流增益特性和可靠的工作性能,适用于功率放大器、开关电路、驱动电路等场合。
关键参数
晶体管类型: ZTX601是一种NPN达林顿结构,提供更高的电流增益,适合低驱动电流下进行高功率输出。
电流 - 集电极 (Ic): 其最大集电极电流为1A,能够满足多数中等功率应用的需求。
电压 - 集射极击穿(最大值): 绝缘击穿电压最大可达160V,这使得ZTX601在高电压应用中依然可以保持稳定性与安全性。
饱和压降 (Vce): 在10mA和1A的不同集电极电流下,最大饱和压降为1.2V,适合需要低能量损失的高效电源设计。
电流 - 集电极截止: 此器件在集电极截止状态下的最大电流为10µA,表明其具有较低的漏电流。
DC电流增益 (hFE): 该组件在500mA和10V的条件下,DC电流增益的最小值为2000,确保了在各种工作状态下的高放大倍数,能够有效提升电流控制的灵敏度。
功率 - 最大值: ZTX601的最大功率为1W,使其能够处理较高的功率输出,不易过热。
频率 - 跃迁: 此达林顿晶体管具有250MHz的跃迁频率,适用于高速开关和高频操作的应用。
工作温度范围: ZTX601能够在-55°C至200°C的温度范围内工作,适合各种严苛环境条件下应用。
安装类型与封装: ZTX601采用通孔安装方式,封装类型为E-Line-3,其与TO-92封装兼容,便于在不同电路板上进行替换和应用。
品牌信誉: 该产品由DIODES(美台)公司生产,其在电子元器件领域具有良好的声誉和可靠性,确保产品质量与性能的稳定性。
应用场景
ZTX601晶体管的高增益和高耐压特性使其在许多场合中具有广泛的应用潜力。以下是一些典型的应用:
开关电路: 适用于电机驱动、灯光控制和继电器驱动等开关应用,以其优越的饱和压降和电流增益特性来提高开关效率。
功率放大器: 可以用于音频放大器和射频放大器中,提供足够的功率输出以及良好的频率响应,使得音质和信号传输更加清晰。
驱动电路: 在LED驱动和其他负载驱动电路中,ZTX601能够提供强大的输出电流,支持多种负载类型的有效驱动。
信号放大: 由于其高电流增益,ZTX601还广泛用于信号放大电路中,如传感器信号放大和音频信号增强等。
总结
ZTX601是一款高效的NPN达林顿晶体管,具备出众的电流增益、工作电压和温度的适应性,适合多种电子应用。其稳健的性能和优良的封装设计,使ZTX601成为电子工程师和设计师的优选组件,能够在广泛的领域中提供可靠的解决方案。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域,ZTX601均可以发挥其潜力,支持现代电子设备的高效运行。