ZVN4206AV
ZVN4206AV参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 600mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 100pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 | 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
ZVN4206AV手册
ZVN4206AV概述
ZVN4206AV 产品概述
一、产品简介
ZVN4206AV是由知名半导体制造商DIODES（美台）生产的一款高性能N沟道MOSFET，广泛应用于各种电子电路和设备中。该MOSFET以其优越的电气特性和可靠性，成为多种应用场合的理想选择，尤其适用于开关电源、电动机驱动、负载开关及其他需要高效控制电流的场合。
二、关键特性
漏源电压（Vdss）： 最大可达60V，使该器件能够适应多种电压环境，尤其适合中等电压应用。
连续漏极电流（Id）： 在25°C下，ZVN4206AV的最大连续漏极电流为600mA。这一规格使得该MOSFET能够有效地处理较大的负载电流。
导通电阻： 在10V的栅极电压下，ZVN4206AV的最大导通电阻（Rds(on)）为1欧姆（在1.5A的条件下）。低导通电阻意味着更高的功率转换效率和更少的热损耗，从而提高系统整体性能。
栅源阈值电压（Vgs(th)）： 在1mA的漏电流下，最大阈值电压为3V，这使得器件在较低栅电压下就能有效开通，对于低功耗应用尤为重要。
输入电容（Ciss）： 在25V时，最大输入电容为100pF，较低的输入电容有助于提高开关速度，减少开关损耗，适应高频开关应用。
功率耗散： 该MOSFET的最大功率耗散为700mW，能够有效管理热量，从而增强器件的可靠性和使用寿命。
工作温度范围： ZVN4206AV的工作温度范围从-55°C到150°C，适应严苛的环境条件，广泛应用于工业、汽车和消费类电子产品中。
封装类型： 采用TO-92-3封装，具备良好的机械强度和导热性能，适合通孔安装，使得在PCB布局设计上也较为灵活。
三、应用领域
ZVN4206AV适用于多种场合，例如：
开关电源： 在开关电源设计中，MOSFET作为开关元件，可以高效控制电流的流动，从而确保电源的稳定性和效率。
电动机驱动： 在电动机控制电路中，MOSFET用于实现电机的启停、正反转控制，能够快速响应，提高电机控制的精确性。
负载开关： 作为负载开关，ZVN4206AV可以用于高效控制灯光、风扇等负载的接通与断开。
自动化控制系统： 在自动化控制模块中，MOSFET可以用来实现对各种传感器和执行器的接口和控制。
四、总结
ZVN4206AV是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，结合其优越的电气特性和广泛的应用领域，变得极其适合多种电子设计需求。随着电子产品对性能、效率和可靠性要求的不断提高，ZVN4206AV凭借其稳定的性能和多功能适用性，定能满足市场的多种需求。针对电源管理和信号处理等关键领域，ZVN4206AV无疑是设计工程师们的理想选择。