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ZVN4206AVSTZ
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
EP3SC
包装 :
-
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 700mW 60V 600mA 1个N沟道
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.01按整 :
盒(1盒有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.01
--
100+
￥2.32
--
1000+
￥2.01
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZVN4206AVSTZ参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 600mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 100pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | E-Line（TO-92 兼容） | 封装/外壳 | E-Line-3 |
ZVN4206AVSTZ手册
无数据
ZVN4206AVSTZ概述
产品概述：ZVN4206AVSTZ N通道MOSFET
一、基本信息
ZVN4206AVSTZ是美台（DIODES）公司生产的一款N通道MOSFET，具有优良的电气性能和宽广的工作温度范围。该器件设计用于低功耗、高效率的开关和放大应用，特别适用于电源管理、马达驱动、负载开关等领域。
二、技术规格
- FET类型：N通道
- 技术：金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时的连续漏极电流（Id）：600mA
- 最大Rds(on)：
- 驱动电压：5V和10V
- 导通电阻：1Ω（在1.5A，10V条件下）
- Vgs(th)（最大值）：3V（在1mA条件下）
- 最大Vgs：±20V
- 最大输入电容（Ciss）：100pF（在25V条件下）
- 最大功率耗散：700mW
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 安装类型：通孔
- 封装类型：E-Line（TO-92兼容）
三、应用场景
ZVN4206AVSTZ适用于多种应用场景，包括：
- 电源管理：作为开关元件进行高效率的电压转换和能量传递。
- 驱动电路：在马达控制电路中，作为开关晶体管高效控制电机的启停。
- 负载开关：在低功耗设备中，能够高效地连接或断开负载。
- 信号放大：在小信号放大电路中，提供良好的增益和频率响应，适合RF和音频应用。
四、性能优势
- 低导通电阻：1Ω的导通电阻在1.5A电流下表现出色，能够有效降低功率损耗，提高系统整体效率。
- 宽工作温度范围：-55°C至150°C的工作温度范围，确保该器件在极端环境下稳定运行，适用于汽车、工业及航空航天应用。
- 高阈值电压：较高的Vgs(th)值（3V）可以确保在多数逻辑电平下可靠开启，避免误触发。
- 封装兼容性：E-Line封装兼容TO-92，使得该器件在现有的设计中易于替换和集成。
五、封装信息
ZVN4206AVSTZ采用E-Line-3封装，其独特的结构设计可以提供良好的散热性能，助力器件在高电流和高功率条件下的稳定性。同时，通孔安装方式也使得在PCB设计中的焊接操作更加简便，避免了焊接过程中可能出现的结构性缺陷。
六、总结
作为一款高性能的N通道MOSFET，ZVN4206AVSTZ在电源效率、散热性能以及工作稳定性方面均表现出色，能够满足现代电子设备对高效能元器件的需求。其广泛的应用场景和优异的技术规格，使其成为电源管理、驱动电路及负载开关等领域理想的选择。无论是在商业应用还是在工业设备中，ZVN4206AVSTZ都能提供可靠的性能支持，是值得信赖的电子元器件。