DMT5015LFDF-7 产品实物图片
DMT5015LFDF-7 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMT5015LFDF-7

商品编码: BM0084328340
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 820mW 50V 9.1A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存 :
2731(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.05
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.05
--
100+
¥1.64
--
750+
¥1.46
--
1500+
¥1.38
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMT5015LFDF-7参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)15 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µAVgs(最大值)±16V
功率耗散(最大值)820mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装U-DFN2020-6(F 类)
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘漏源电压(Vdss)50V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)14nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)902.7pF @ 25V

DMT5015LFDF-7手册

empty-page
无数据

DMT5015LFDF-7概述

DMT5015LFDF-7 产品概述

产品简介

DMT5015LFDF-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 N 通道 MOSFET,专为高效率和紧凑设计的电源管理系统而开发。这款场效应管的主要特点包括最大 50V 的漏源电压能力、连续漏极电流可达 9.1A,以及低导通电阻(15毫欧),使其在各种应用中表现出色,尤其是在高频和高效率的开关电源、DC-DC 转换器及电机驱动等领域。

关键参数

  1. 制造商: Diodes Incorporated
  2. 型号: DMT5015LFDF-7
  3. 零件状态: 有源
  4. FET 类型: N 通道
  5. 技术: MOSFET(金属氧化物)
  6. 包装方式: 卷带(TR),便利于自动化贴片装配
  7. 封装类型: U-DFN2020-6(F 类),表面贴装设计,节省空间并提高组件的整体性能。

电气特性

  • 电流 - 连续漏极 (Id): 在 25°C 的环境温度下,DMT5015LFDF-7 可以安全支持最高 9.1A 的持续工作电流,适合于高负载应用。
  • 导通电阻 (Rds On): 在 Vgs = 10V 时,最大导通电阻仅为 15毫欧 @ 8A,确保了低电能损耗,提高了效率。
  • 栅极源电压 (Vgs): 最大栅极源电压为 ±16V,保证了 MOSFET 的安全操作范围。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 2V @ 250µA,这为 MOSFET 提供了较低的开关阈值,使得其在低电压条件下仍具备良好的导通性能。
  • 功率耗散: 在环境温度为 25°C 时,最大功率耗散能力为 820mW,这允许其在有限的空间内处理相对较高的功率。
  • 工作温度范围: DMT5015LFDF-7 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保其在各种极端条件下稳定工作。

电容和电荷特性

  • 输入电容 (Ciss): 在 Vds = 25V 时,输入电容最大可达 902.7pF,提供更快的开关性能,适用于高频应用。
  • 栅极电荷 (Qg): 在 Vgs = 10V 时,栅极电荷最大为 14nC,这意味着 MOSFET 的开关速度较快,有助于提高开关频率和减少开关损耗。

应用场景

DMT5015LFDF-7 适用于广泛的电子应用,包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其高效的电源管理能力,非常适合用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器,实现高能效和小型化设计。
  • 电机驱动: 适用于电动机的控制和驱动电路,能够支持较高电流并提供快速响应。
  • 高频应用: 低输入电容和快速开关特性使其在 RF 应用中表现优秀。
  • 电池管理系统: 在电池供电的设备中,能够有效管理和控制电源流,延长电池寿命。

结论

DMT5015LFDF-7 是一款理想的高性能 N 通道 MOSFET,其在电流承载能力、低导通电阻和宽工作温度范围等方面的卓越性能,使其成为现代电子设备中的关键组件。无论是在高效能的电源转换电路还是在电机控制系统中,DMT5015LFDF-7 都能提供可靠的性能和稳健的解决方案,是电子设计师在追求高效、紧凑和耐用设计时的重要选择。