制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.1A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15 毫欧 @ 8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±16V |
功率耗散(最大值) | 820mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6(F 类) |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 漏源电压(Vdss) | 50V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 902.7pF @ 25V |
DMT5015LFDF-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 N 通道 MOSFET,专为高效率和紧凑设计的电源管理系统而开发。这款场效应管的主要特点包括最大 50V 的漏源电压能力、连续漏极电流可达 9.1A,以及低导通电阻(15毫欧),使其在各种应用中表现出色,尤其是在高频和高效率的开关电源、DC-DC 转换器及电机驱动等领域。
DMT5015LFDF-7 适用于广泛的电子应用,包括但不限于:
DMT5015LFDF-7 是一款理想的高性能 N 通道 MOSFET,其在电流承载能力、低导通电阻和宽工作温度范围等方面的卓越性能,使其成为现代电子设备中的关键组件。无论是在高效能的电源转换电路还是在电机控制系统中,DMT5015LFDF-7 都能提供可靠的性能和稳健的解决方案,是电子设计师在追求高效、紧凑和耐用设计时的重要选择。