制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 53.7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 17 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 漏源电压(Vdss) | 80V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1949pF @ 40V |
DMTH8012LPSW-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),该产品结合了优异的电气性能和广泛的工作温度范围,适合多种应用场景。
DMTH8012LPSW-13 是一款表面贴装型的 MOSFET,采用更为紧凑的 PowerDI5060-8 封装,尺寸为 4.9mm x 5.8mm。其设计目的在于优化空间利用率,适合高密度的电路设计。此器件状态为有源,能够在电子电路各类应用中发挥关键作用。
DMTH8012LPSW-13 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
综上所述,DMTH8012LPSW-13 是一款功能强大、性能卓越的 N 通道 MOSFET,广泛应用于高电流、高效率和高可靠性的场合,能够满足现代电子设计的多重需求。