ZVNL110A

ZVNL110A 产品概述

产品简介

ZVNL110A 是一款由美台 Diodes Incorporated 制造的 N 通道 MOSFET。这款场效应管具备高效能、宽工作温度范围和卓越的电气特性，非常适合用于各种电子电路中的开关和放大应用。它采用 TO-92-3 封装，便于通孔安装，广泛用于消费类电子产品、汽车电子、工业控制等多个领域。

主要参数

• 制造商: Diodes Incorporated
• 封装类型: TO-92-3；也兼容 TO-226-3 的标准封装形式
• 零件状态: 有源
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
• 漏极电流 (Id): 320mA（在 25°C 时）
• 驱动电压 (Vgs): 5V 和 10V，确保不同条件下性能优化
• 导通电阻 (Rds On): 最高 3 欧姆 @ 500mA，10V；低导通电阻有助于减少在通断过程中造成的功耗
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1.5V @ 1mA；低阈值电压意味着更小的栅极驱动电压要求
• 最大漏源电压 (Vdss): 100V，适应较高电压的电路需求
• 功率耗散: 最大 700mW，适合多种负载条件下工作
• 工作温度: -55°C ～ 150°C，广泛的工作温度范围可满足严酷环境中的应用需求
• 输入电容 (Ciss): 最大 75pF @ 25V，确保更快速的开关性能

应用场景

ZVNL110A 可以在多种应用中发挥重要作用，包括但不限于：

1. 电源管理: 在电源电路中，当需要控制功率分配或者调节电压时，MOSFET 可以用作高效的开关元件，降低能量损耗。

2. 信号开关: 由于其快速的开关特性，ZVNL110A 适用于音频信号开关或数字信号处理中的转换，能够有效地保护和管理信号通路。

3. 驱动电路: 可用于各种低功耗驱动电路，例如 LED 驱动器、继电器驱动和小型电动机控制。

4. 汽车电子: 高温性能和耐用性使得该元件适合在汽车电子设备，尤其在电态控制和电源分配模块中的应用。

典型特性

ZVNL110A 在使用过程中可提供多种优异特性，包括：

• 高效率: 由于其低导通电阻与出色的功率耗散能力，使得在高频率切换下能够保持低发热量特性。
• 高度可靠: 超宽的工作温度范围和高电压容忍度使其在苛刻的环境条件下仍能稳定工作，符合工业标准。
• 兼容性: TO-92-3 封装使其可以轻松集成到各种电路设计中，并与现有电路板布局兼容。

结论

综上所述，ZVNL110A N 通道 MOSFET 是一个多功能、高性能的电子元件，适用于不同的商业和工业应用场景。它的设计有效地平衡了电气性能与热性能，使其成为要求高可靠性与高效率的应用中的理想选择。无论是在电源管理、驱动电路还是汽车电子领域，ZVNL110A 均能表现出色，为设计工程师提供了极大的便利和信心。