BS107PSTZ

产品概述：BS107PSTZ MOSFET

一、产品背景

BS107PSTZ 是一款由 DIODES（美台）公司生产的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。作为一款高性能的功率开关器件，BS107PSTZ 广泛应用于各种电子电路中，尤其适合需要高耐压和高效率的电源管理、开关电源、马达驱动以及其他低功耗应用。

二、产品特点

1. FET 类型: N 通道

   • N 通道 MOSFET 在驱动性能和导通特性上优于 P 通道器件，适合电源开关、信号处理等多种应用。

2. 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）

   • MOSFET 的优势在于其超快的开关速度和低驱动功耗，使其在高频率和高效率的电源设计中表现突出。

3. 漏源电压 (Vdss): 200V

   • 高达200V的漏源电压使 BS107PSTZ 能够在高电压应用场合下稳定工作，适合电力电子设备。

4. 电流参数: 25°C 时连续漏极电流 (Id) 为 120mA

   • 该性能使其能够应对一般低功耗传输要求，具有出色的热稳定性和良好的散热性能。

5. 导通电阻 (Rds On): 最大 30欧姆 @ 100mA，5V

   • 适度的导通电阻有助于降低能量损耗，提升电路整体效率。

6. 驱动电压: 最低需2.6V，5V可达最大 Rds On

   • 适合与大多数逻辑电平接口兼容，用户在设计时控制推动电压就可以高效驱动。

7. 输入电容 (Ciss): 最大 85pF @ 25V

   • 较小的输入电容能够实现更快的开关速度，减少开关损耗。

8. 功率耗散（Pmax）: 最大 500mW

   • 确保在适用的功率范围内温升不显著，适用于紧凑型设计。

9. 工作温度: 范围从 -55°C 到 150°C

   • 这种广泛的工作温度范围使得 BS107PSTZ 能够在各种极端环境下稳定运行，尤其在工业领域和汽车电子中具有重要应用。

10. 安装类型: 通孔

    • 通孔封装形式的设计便于在PCB上安装，稳定性好，易于生产集成。

11. 封装类型: E-Line（TO-92 兼容）

    • 这种封装设计在产品尺寸与性能之间找到了良好的平衡，便于自动化生产及PCB布局设计。

三、应用场景

BS107PSTZ 被广泛用于以下几个领域：

• 电源管理: 在开关电源中用作开关器件，实现高效率的能量转换。
• 低功耗应用: 由于较低的导通电阻与输入电容，适合用于便携式设备的电源管理。
• 马达驱动: 能够承受较高电流，适用于直流马达控制和驱动电路设计。
• 信号开关: 在各种电子开关和信号调制应用中提供可靠的操作。

四、总结

BS107PSTZ 是一款为满足现代电子设备对高效、稳定、广泛应用的需求而设计的 N 通道 MOSFET。凭借其优异的电性能，灵活的温度范围，以及便捷的安装形式，BS107PSTZ 在功率电子设计中具有重要的市场价值。无论是在电源单位、信号处理、或是其他高电压应用，这款器件都展现了其不凡的可靠性与应用潜力，为设计工程师提供了极大的便利。