MMSTA55-7-F
MMSTA55-7-F参数
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
MMSTA55-7-F手册
MMSTA55-7-F概述
MMSTA55-7-F 产品概述
一、产品简介
MMSTA55-7-F 是一种高性能的 PNP 型 bipolar junction transistor (BJT)，主要用于各种电子电路应用中，如放大器、开关以及信号处理。这款三极管由美台（DIODES）公司生产，采用 SOT-323 封装，具备小型化和高效率的特点。该产品适用于需要高电流和高电压工作的场景，同时具备优良的温度范围和频率响应能力，使其在广泛的应用领域中表现出色。
二、产品特点
类型与结构：MMSTA55-7-F 是一种 PNP 型三极管，表示其在电路中的主要使用方式为采用负电流切换，从而能够实现高效的信号处理和放大功能。
电气特性：
- 集电极电流（Ic）：该三极管的最大集电极电流达 500mA，这使得它能够轻松处理大功率信号，适用于高负载的电路应用。
- 集射极击穿电压（Vceo）：MMSTA55-7-F 的最大集射极击穿电压为 60V，意味着它可以在较高电压环境中安全工作，降低了电路设计中的风险。
- 饱和压降（Vce(sat)）：在不同工作点下，Vce 饱和压降最大为 250mV（在 10mA 和 100mA 的条件下），保证了高效的电流传输并减小功耗。
- 截止电流（ICBO）：在最大值为 100nA，确保设备在静态状态下的更佳表现。
增益性能：MMSTA55-7-F 在 100mA 的工作电流和 1V 的电压条件下，显示最小 DC 电流增益 (hFE) 高达 100，表明该三极管能够有效放大输入信号，是实现高频信号处理的理想选择。
功率与频率：其最大功率为 200mW，并具备 50MHz 的频率响应能力，符合高速开关和高频放大应用的需求。
温度范围：MMSTA55-7-F 的工作温度范围达到 -55°C 至 150°C，使其适用于各种极端环境条件下工作，极大地提高了设备的适应性与可靠性。
三、应用场景
凭借其卓越的性能，MMSTA55-7-F 可以广泛应用于多个领域，如：
- 音频放大器：通过其高增益特性，能够在音频信号处理电路中发挥关键作用，实现高保真度的音乐播放。
- 开关电路：作为开关元件，用于控制电流的通断，适用于各种电源管理和控制系统中。
- 射频应用：由于其优秀的频率响应，能够在通信和无线电频率设备中正常工作，确保信号清晰传输。
- 汽车电子：适合在汽车控制单元中使用，尤其是在需要高电流和温度适应性的应用中。
四、封装与安装
MMSTA55-7-F 采用 SOT-323 封装，具有小巧紧凑的特点，便于在空间受限的设计中使用。其表面贴装的安装方式使得该三极管兼容现代自动化装配线，加速了生产效率。
五、总结
总而言之，MMSTA55-7-F 是一款具有优异性能的 PNP 晶体管，表现在高电流、高电压和广泛的工作温度范围等多个方面都能满足设计师的需求。无论是在音频系统、开关电路，还是在高频应用中，它都能凭借其良好的可靠性与灵活性，为各类电子产品的性能提升提供有力支持。因此，它是现代电子设计中不可或缺的重要元件之一。