逻辑类型 | XOR(异或) | 电路数 | 1 |
输入数 | 2 | 电压 - 供电 | 1.65V ~ 5.5V |
电流 - 静态(最大值) | 200µA | 电流 - 输出高、低 | 32mA,32mA |
逻辑电平 - 低 | 0.7V ~ 0.8V | 逻辑电平 - 高 | 1.7V ~ 2V |
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟 | 4ns @ 5V,50pF | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN0808-4 |
封装/外壳 | 4-XFDFN 裸露焊盘 |
74LVC1G86FS3-7 是一款基于 CMOS 技术的异或门(XOR Gate),提供了单一的逻辑功能,适用于需要快速逻辑操作的电路。这款器件由美台品牌 DIODES 生产,采用了表面贴装(SMD)设计,符合现代电子产品对尺寸和性能的要求。
该器件的基本参数如下:
74LVC1G86FS3-7 的灵活性和高速性能使其在多种应用场景中都表现出色:
消费电子: 由于其低静态电流和宽电压范围,该器件广泛应用于智能手机、平板电脑等小型消费电子产品的逻辑控制部分。
工业控制: 适合在较复杂的工业控制系统中使用,如自动化设备和工业机器人,通过简化电路设计,提升工作效率和反应速度。
通信设备: 在信号处理和数据通信设备中,使用74LVC1G86FS3-7 可以实现快速的信号反转和处理,从而提升数据传输的效率。
汽车电子: 适合在汽车电子系统中使用,如车载娱乐系统和自动驾驶辅助系统,因其宽工作温度范围和高可靠性,能够满足严苛的环境要求。
高效率: 较低的静态电流和较高的输出电流保证了该器件在各种负载条件下的高效性,使其适合于电池供电的便携设备。
快速响应: 仅需 4ns 的最大传播延迟,使其在高速数据传输的场合表现出色,降低了时延对系统性能的影响。
坚固的工作环境: 能够在 -40°C 到 125°C 的广泛工作温度范围内稳定运行,确保在极端环境中仍然可以可靠操作,适合各种严苛的使用场合。
紧凑的封装: X2-DFN0808-4 封装的设计使得74LVC1G86FS3-7 可以轻松集成到各类电路板中,节省电路板空间并简化焊接工艺。
74LVC1G86FS3-7 是一款在性能和灵活性上都表现出色的 CMOS 异或逻辑门。其广泛的工作电压、快速的逻辑处理时间以及坚固的工作温度范围使其成为现代电子产品中不可或缺的元件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等应用领域,74LVC1G86FS3-7 的前景都非常广阔。基于这款器件的设计和开发,可以极大地推动各类电子设备的性能提升和功能扩展。