DMN33D8LDWQ-7 产品实物图片
DMN33D8LDWQ-7 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN33D8LDWQ-7

商品编码: BM0084328259
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.64
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.64
--
200+
¥0.412
--
1500+
¥0.359
--
3000+
¥0.318
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN33D8LDWQ-7参数

empty-page
无数据

DMN33D8LDWQ-7手册

empty-page
无数据

DMN33D8LDWQ-7概述

产品概述:DMN33D8LDWQ-7 绝缘栅场效应管(MOSFET)

基本信息

  • 产品名称:DMN33D8LDWQ-7
  • 品牌:DIODES(美台)
  • 封装类型:SOT363

概述 DMN33D8LDWQ-7 是一款高性能的绝缘栅场效应管(MOSFET),由 DIODES 公司制造。作为一种常见的半导体器件,MOSFET 是现代电子产品中广泛使用的开关和放大器,其独特的结构使得它能够在低功耗和高效率的条件下运行。DMN33D8LDWQ-7 的设计和规格使其在特定应用场合下具有显著的优势。

封装特性 DMN33D8LDWQ-7采用SOT363小型封装,携带了其卓越的电气性能和稳健的机械结构。SOT363封装不仅提供了较小的占用空间,适合高密度电路板的设计,同时其良好的热管理性能确保了器件在高负载条件下的稳定性。小型化的设计使其特别适合移动设备、便携式电子产品及其他对空间要求严格的应用。

电气特性 DMN33D8LDWQ-7 MOSFET 的主要电气特性包括低导通电阻(Rds(on))和较高的电压承受能力。低导通电阻意味着在导通状态下,电子流通过 MOSFET 的损耗更小,从而提高整体能效。此外,DMN33D8LDWQ-7 还具备较快的开关速度,这使得它可以在高频率下操作,而不会显著增加开关损耗。这种特性对于高频开关电源和直流-直流转换器等应用至关重要。

应用场景 DMN33D8LDWQ-7 广泛应用于各类电子设备中,尤其是在功率管理领域。它能够用于:

  1. 开关电源:在电源转换过程中,MOSFET 可以高效地切换电流,降低能量损耗,提升转换效率。
  2. 电机驱动:在电机控制电路中,利用 MOSFET 的开关特性,可以实现对电机的精确控制,提升驱动性能。
  3. LED驱动:在LED照明应用中,该器件可用于调光和开关控制,提供更为灵活的照明解决方案。
  4. 便携式设备:由于其低功耗特性,DMN33D8LDWQ-7 是智能手机、平板电脑等便携设备中理想的电源管理元件。
  5. 汽车电子:在现代汽车的电子控制单元中,MOSFET 被用于电源管理和信号调理等多个环节,提升汽车的能效和性能。

总结 DMN33D8LDWQ-7 绝缘栅场效应管是 DIODES 公司提供的一种高效、小型化的电源管理解决方案。其低导通电阻、高开关速度和小巧的封装,使其在众多电子应用中表现卓越,不仅助力设计工程师实现更高的能效,还帮助其满足市场对稳健性、性能和电源效率的严格要求。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域,DMN33D8LDWQ-7 都为设计师提供了一个可靠的选择。