DMP21D6UFB4-7B
DMP21D6UFB4-7B参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 580mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .8nC @ 8V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 46.1pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 510mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMP21D6UFB4-7B手册
DMP21D6UFB4-7B概述
产品概述：DMP21D6UFB4-7B
DMP21D6UFB4-7B是一款由DIODES（美台）公司推出的高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在满足广泛的电子应用需求，包括电源管理、开关电源、负载开关及功率转换等。该MOSFET器件采用表面贴装型（SMD）封装，标号为X2-DFN1006-3，十分适合于对空间和散热要求苛刻的现代电子设备。
基本参数与性能
DMP21D6UFB4-7B的主要规格参数包括：
漏源电压（Vdss）： 最大20V，为各种低压应用提供了良好的安全余量，使其适合用于电池供电的设备。
额定电流（Id）： 在25°C环境温度下的连续漏极电流为580mA，确保其在中等负载下的稳定性和可靠性。
导通电阻（Rds(on)）： 在4.5V的栅极驱动电压下，Rds(on)最大值为1Ω（在100mA时），这一低导通电阻特性有助于降低通断过程中损耗，提高效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）： 最大阈值为1V@250µA，这意味着该MOSFET在较低的栅极驱动电压下即可导通，适合用于低压驱动电路。
栅极电荷（Qg）： 最大值为0.8nC@8V，较低的栅极电荷帮助提高开关速度，适合快速响应的应用。
输入电容（Ciss）： 在10V时最大为46.1pF，这一较小的输入电容有利于降低开关延迟，并改善开关性能。
功率耗散（Pd）： 最大功率耗散为510mW，确保在合理的工作条件下能够保持稳定工作。
工作温度范围： 从-55°C到150°C，使其可在极端温度环境下运行，尤其适合工业和汽车等要求严苛的应用场合。
应用领域
DMP21D6UFB4-7B因其卓越的性能和可靠性，广泛适用于如下领域：
电源管理： 可用于DC-DC转换器、电压调节器等电源管理电路，有效降低功耗，提高电源效率。
负载开关： 确保在控制负载开启和关闭时，以低导通电阻提供最佳性能，适用于各种消费电子产品。
功率放大器和开关电路： 由于其高速度和高效率特性，能够满足 RF 和高频应用需求。
汽车电子： 可在车载电子系统中找到应用，包括动力总成控制、灯光控制及电动窗等。
工业控制： 在传感器和执行器驱动中表现出色，以实现高效的信号传输和处理。
封装与安装
DMP21D6UFB4-7B的X2-DFN1006-3封装设计，具有小尺寸和轻量化的特点，非常适合现代微型化和集成化趋势。表面贴装技术（SMT）能够简化生产流程，降低组装成本，同时提高产品的稳定性和可靠性。
总结
总之，DMP21D6UFB4-7B是一款功能强大且灵活的P沟道MOSFET，适用于众多电子产品的设计与开发。凭借其出色的电气特性和适应性，能够为设计工程师提供更高效、更可靠的解决方案。选择DMP21D6UFB4-7B，您将体验到前所未有的性能和灵活性，可以更好地应对当今快速发展的电子应用市场。