DMN1014UFDF-7 产品实物图片
DMN1014UFDF-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN1014UFDF-7

商品编码: BM0084328238
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 700mW 12V 8A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.772
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.772
--
200+
¥0.532
--
1500+
¥0.484
--
3000+
¥0.452
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN1014UFDF-7参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)12V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)16 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)6.4nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±8V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)515pF @ 6V
功率耗散(最大值)700mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装U-DFN2020-6(F 类)
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘

DMN1014UFDF-7手册

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DMN1014UFDF-7概述

DMN1014UFDF-7 产品概述

产品简介

DMN1014UFDF-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),由美台 (Diodes Incorporated) 生产,专为各种电子应用设计。这款器件具备良好的电流承载能力、高效率和宽工作温度范围,特别适合于低电压、高频开关电路、DC-DC 转换器以及其他要求高效能和紧凑型包装的场合。

基本参数

DMN1014UFDF-7 设计参数如下:

  • 漏源电压(Vdss):12V,适合低电压应用。
  • 连续漏极电流(Id):最高可达 8A(在 25°C 环境下),显示出其卓越的导通能力。
  • 栅极驱动电压(Vgs):2.5V 和 4.5V 时,提供最大 Rds(on) 表现,适应不同的驱动要求。
  • 导通电阻(Rds(on)):在 2A 和 4.5V 条件下最大值为 16 毫欧,确保低能量损耗和高工作效率。
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大值为 1V @ 250µA,允许器件在较低电压下迅速导通。
  • 栅极电荷(Qg):最大值为 6.4nC @ 4.5V,表明在高频信号驱动下的高性能响应。
  • 输入电容(Ciss):最大值为 515pF @ 6V,适合高频操作。
  • 功率耗散能力:最大功率耗散为 700mW(特定温度区域),适应多种负载条件。
  • 工作温度范围:从 -55°C 到 150°C(TJ),可在极端环境下稳定运行。
  • 安装类型:表面贴装型(SMD),使得该器件能够在空间受限的电路板上轻松集成。

封装特性

DMN1014UFDF-7 采用 U-DFN2020-6 封装,具备 6 个裸露焊盘,适合自动化生产线上的表面贴装。此封装设计不仅优化了热管理,还能提升电源管理性能。紧凑的设计允许在密集的电路板上高效布局,满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。

应用场景

DMN1014UFDF-7 广泛应用于多种电子设备,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS):作为开关元件,在电源模块中提高能效。
  • DC-DC 转换器:适合于需要提高电源转换效率的便携式设备以及工业电源应用。
  • 电机驱动:用于控制小型电机的速度和转矩,适合家用电器和工业自动化设备。
  • 信号开关:在数字电路中用作条件开关或信号选择器。

结论

总的来说,DMN1014UFDF-7 是一款高效的 N 通道 MOSFET,结合了优良的电气特性和宽广的工作环境,使其成为多个电子设计中的理想选择。凭借其优越的性能和灵活的应用范围,该器件为开发高效能、低功耗的电子产品提供了强有力的支持。美台品牌在市场上的声誉和可靠性,也为用户在选择这个器件时提供了信心保障。