FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 16 毫欧 @ 2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.4nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 515pF @ 6V |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6(F 类) |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
产品简介
DMN1014UFDF-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),由美台 (Diodes Incorporated) 生产,专为各种电子应用设计。这款器件具备良好的电流承载能力、高效率和宽工作温度范围,特别适合于低电压、高频开关电路、DC-DC 转换器以及其他要求高效能和紧凑型包装的场合。
基本参数
DMN1014UFDF-7 设计参数如下:
封装特性
DMN1014UFDF-7 采用 U-DFN2020-6 封装,具备 6 个裸露焊盘,适合自动化生产线上的表面贴装。此封装设计不仅优化了热管理,还能提升电源管理性能。紧凑的设计允许在密集的电路板上高效布局,满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
应用场景
DMN1014UFDF-7 广泛应用于多种电子设备,包括但不限于:
结论
总的来说,DMN1014UFDF-7 是一款高效的 N 通道 MOSFET,结合了优良的电气特性和宽广的工作环境,使其成为多个电子设计中的理想选择。凭借其优越的性能和灵活的应用范围,该器件为开发高效能、低功耗的电子产品提供了强有力的支持。美台品牌在市场上的声誉和可靠性,也为用户在选择这个器件时提供了信心保障。