UMC5N-7
UMC5N-7参数
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧，4.7 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧，10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V / 30 @ 10mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 |
| 供应商器件封装 | SOT-353 |
UMC5N-7手册
UMC5N-7概述
UMC5N-7 产品概述
一、产品简介
UMC5N-7是一款高性能数字晶体管，集成了1个NPN和1个PNP晶体管，采用预偏置配置。它的设计特别适合用于多种数字电路应用，拥有稳定的性能和较高的工作效率。采用SOT-353封装，UMC5N-7结合了小型化和表面贴装的特点，成为现代电子产品中理想的选择。
二、关键参数
- 晶体管类型：NPN和PNP组合，实现更灵活的电路设计。
- 最大集电极电流（Ic）：100mA，适合多种中小功率应用场景。
- 最大集射极击穿电压（Vce）：50V，确保在高电压环境下的稳定性。
- DC电流增益（hFE）：在不同的工作条件下，hFE的最小值为68（在5mA、5V时），30（在10mA、5V时），这表明即使在较低的偏置电流下，该器件也能保持良好的放大性能。
三、功能特性
低饱和压降：在500µA和10mA的条件下，Vce饱和压降最大为300mV，意味着其在导通状态下的损耗较小，适用于低功耗电路设计。
低集电极截止电流：最大值为500nA，确保在关断状态下的超低功耗，特别适合需要保持长时间待机的应用。
高频特性：具有250MHz的跃迁频率，使其能够支持高速数据传输和信号放大，适应快速切换的数字信号处理需求。
功率处理能力：最大功率为150mW，可以支持多样的电路需求而不会出现过热或故障。
四、应用领域
UMC5N-7凭借其良好的电气特性和灵活的封装设计，广泛应用于以下领域：
- 消费电子：如手机、平板电脑、便携式设备等，适合用于信号放大和开关应用。
- 工业自动化：用于传感器、执行器等设备中，实现在高频率和高效率下的可靠操作。
- 汽车电子：作为开关和放大器，用于各种汽车电路的控制和信号处理。
五、安装与封装
UMC5N-7采用SOT-353封装，体积小、重量轻，便于在各种印刷电路板（PCB）上进行表面贴装。该封装设计能够有效缩短从设计到产品的开发周期，同时提高产品的集成度和可靠性。
六、供应与品牌
UMC5N-7由DIODES（美台）品牌生产，作为行业内知名的半导体制造商，DIODES凭借其卓越的产品质量和技术支持在全球电子市场占据了一席之地。产品的稳定性和可靠性使UMC5N-7成为专业人士和电子工程师在开发各类电子设备时的首选元件。
七、总结
UMC5N-7是一款多功能的数字晶体管，融合了高性能的NPN和PNP特点，适应了现代电子设备对小型化、高效率的需求。无论是在消费电子，工业自动化，还是汽车电子领域，该产品都能够提供理想的解决方案。选择UMC5N-7，意味着选择了性能、可靠性和灵活性的完美结合，为您的产品开发提供强有力的支持。