功率(Pd) | 1.2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 105pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@4.5V,8.9A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.6nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 834pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 5.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
DMP2040UVT-13 是由 DIODES(美台)公司生产的一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),其主要规格为 1.2W 功率额定值、20V 的耐压以及 13A 的最大连续电流能力。该器件采用紧凑型的 TSOT26 封装,适合在小型电子设备中使用。凭借其优越的电气性能和灵活的适用性,DMP2040UVT-13 成为广泛应用于电源管理、开关电源、负载开关等领域的理想选择。
DMP2040UVT-13 的应用范围可广泛覆盖以下几个领域:
DMP2040UVT-13 采用 TSOT26 封装,这种封装形式不仅提供了小型化的设计,减小了电路板面积,同时也具备良好的散热性能,可以有效降低器件温度,提高可靠性。该封装适合表面贴装(SMD)技术,使其在现代电子设备中得到广泛使用。
DMP2040UVT-13 是一款性能卓越、应用广泛的 P 沟道 MOSFET,尤其适用于需要高效电源管理的应用场景。其紧凑的封装设计与强大的电流处理能力,使其成为设计师在开发现代电子设备时的热门选择。无论是在工业控制、消费电子还是电动车辆领域,DMP2040UVT-13 都能为客户提供出色的性能和可靠性。在日益追求高效、节能解决方案的今天,DMP2040UVT-13 代表了电子元器件发展的一种趋势,值得广泛应用。