DMP2040UVT-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP2040UVT-13

商品编码: BM0084328193
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TSOT26
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2W 20V 13A;5.5A 1个P沟道
库存 :
640(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.972
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.972
--
100+
¥0.67
--
500+
¥0.609
--
2500+
¥0.564
--
5000+
¥0.528
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP2040UVT-13参数

功率(Pd)1.2W反向传输电容(Crss@Vds)105pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)38mΩ@4.5V,8.9A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)8.6nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)834pF@10V连续漏极电流(Id)5.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA

DMP2040UVT-13手册

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DMP2040UVT-13概述

DMP2040UVT-13 产品概述

产品简介

DMP2040UVT-13 是由 DIODES(美台)公司生产的一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),其主要规格为 1.2W 功率额定值、20V 的耐压以及 13A 的最大连续电流能力。该器件采用紧凑型的 TSOT26 封装,适合在小型电子设备中使用。凭借其优越的电气性能和灵活的适用性,DMP2040UVT-13 成为广泛应用于电源管理、开关电源、负载开关等领域的理想选择。

主要特点

  1. 高电流能力: 该 MOSFET 提供了高达 13A 的最大连续电流能力,适合在多种高功率应用中使用。
  2. 良好的耐压性能: 其 20V 的耐压为设备提供了足够的安全裕度,适用于中低电压设备。
  3. 高效的功率处理: 1.2W 的功率额定值使其能够有效处理电源管理中的大部分负载,尤其是在高频开关条件下。
  4. 低导通电阻: DMP2040UVT-13 具备较低的 R_DS(on)(导通电阻),这有助于降低在电流通过时造成的能量损耗,提高整体系统效率。
  5. 快速开关特性: 模型的快速开关性能意味着它能够以较高的频率操作,适应各种动态负载的需求,提高了系统响应速度。

应用领域

DMP2040UVT-13 的应用范围可广泛覆盖以下几个领域:

  1. 电源管理: 适用于开关电源、DC-DC 转换器等电源管理电路中的开关元件,有助于实现高效电能转换。
  2. 负载开关: 该 MOSFET 可用于电源开关实现,用于控制各种电子设备的启停,具备优越的开关性能,确保快速响应。
  3. 电机驱动: 适合用作电机驱动电路中的功率开关,能够承受较大的电流,确保电机在高功率下稳定运行。
  4. LED 驱动: 作为 LED 照明控制电路的一部分,DMP2040UVT-13 可以高效驱动高亮度 LED,满足照明应用对效率和稳定性的要求。

封装与设计

DMP2040UVT-13 采用 TSOT26 封装,这种封装形式不仅提供了小型化的设计,减小了电路板面积,同时也具备良好的散热性能,可以有效降低器件温度,提高可靠性。该封装适合表面贴装(SMD)技术,使其在现代电子设备中得到广泛使用。

性能参数

  • V_DS(泄漏电压): 20V
  • I_D(连续漏极电流): 13A
  • P_D(功耗): 1.2W
  • R_DS(on)(导通电阻): 具体参数可参考生产商数据手册
  • 封装类型: TSOT26

结论

DMP2040UVT-13 是一款性能卓越、应用广泛的 P 沟道 MOSFET,尤其适用于需要高效电源管理的应用场景。其紧凑的封装设计与强大的电流处理能力,使其成为设计师在开发现代电子设备时的热门选择。无论是在工业控制、消费电子还是电动车辆领域,DMP2040UVT-13 都能为客户提供出色的性能和可靠性。在日益追求高效、节能解决方案的今天,DMP2040UVT-13 代表了电子元器件发展的一种趋势,值得广泛应用。