DMG6602SVTX-7
DMG6602SVTX-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A（Ta），2.8A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V，9nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 15V，420pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 840mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | TSOT-26 |
DMG6602SVTX-7手册
DMG6602SVTX-7概述
DMG6602SVTX-7 产品概述
概述
DMG6602SVTX-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能场效应管（MOSFET），专为汽车应用设计，符合 AEC-Q101 标准。该器件在提供高效电源管理和开关控制方面显示出卓越的性能，适用于各种汽车电子系统，同时也适合其他工业应用。
基本参数
DMG6602SVTX-7 集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道互补型MOSFET，具有较高的漏源电压（Vdss）为 30V，使其能够承受多种电气环境下的工作需求。同时，这款 MOSFET 可提供高达 3.4A 的连续漏极电流（Id）及 2.8A 的额定电流，确保在负载变化时依然能够稳定工作。
电气特性
在其工作范围内，DMG6602SVTX-7 的导通电阻表现优异。在 10V 的栅源电压（Vgs）下，最大导通电阻可达到 60 毫欧，适用于 3.1A 电流，和 95 毫欧适用于 2.7A 的条件。这些非常低的导通电阻值使得其在低压工作时具有较高的效率，减少了功率损耗。
该器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为 2.3V，适用于广泛的控制电压范围，方便与不同控制电路兼容。输入电容 Ciss 最大值为 400pF（在 15V 条件下），确保其快速的动态性能，适合高频开关应用。
在工作温度方面，DMG6602SVTX-7 具有极为广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C 的工作温度，确保其能够在极端环境下稳定运行。例如，在恶劣的汽车环境中，它能有效抵御高温和低温的影响。
封装和安装
DMG6602SVTX-7 采用 TSOT-26 封装，这种小型、表面贴装的设计，提高了器件的热特性和电性能，同时也优化了电路板的空间布局。这种封装适合于现代电子设备的集成需求，特别是在紧凑的汽车电子系统中。
应用场景
DMG6602SVTX-7 的设计使其适合广泛的汽车电子应用，包括但不限于：
电动驱动系统：在电动和混合动力汽车的驱动系统中，该MOSFET能够作为高效的开关元件，确保动力的及时响应和能量的有效利用。
电源管理：适用于电源转换器和电压调节电路，帮助实现高效的电能转换和管理，确保系统的整体性能。
控制电路：可以用于各种控制信号的开关，如电机驱动、照明控制、以及其他各类信号放大应用。
总结
总体来说，DMG6602SVTX-7 融合了高可靠性、高效率和良好的热管理性能，为现代汽车和电子设备提供了高性能的解决方案。凭借其低导通电阻、广泛的工作温度范围以及优越的封装设计，这款 MOSFET 是电子设计师在构建高效、可靠的汽车电子系统时的不二选择。无论是在电源管理、驱动控制还是信号调节领域，DMG6602SVTX-7 都展现出其强大的应用潜力。