MMBT4401-13-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBT4401-13-F

商品编码: BM0084328179
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 310mW 40V 600mA NPN SOT-23-3
库存 :
2305(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.548
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.548
--
500+
¥0.183
--
5000+
¥0.122
--
10000+
¥0.087
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT4401-13-F参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)750mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 150mA,1V
功率 - 最大值310mW频率 - 跃迁250MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23

MMBT4401-13-F手册

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MMBT4401-13-F概述

产品概述:MMBT4401-13-F NPN晶体管

产品简介

MMBT4401-13-F是一款高性能NPN型晶体管,广泛应用于各种电子电路中,尤其是用于开关和放大功能。该晶体管由DIODES制造,采用小型SOT-23封装,适用于表面贴装(SMT)技术。其卓越的电气性能和广泛的温度范围使其成为电子工程师设计电路时的理想选择。

基本参数

  • 类型:NPN
  • 最大集电极电流 (Ic):600mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):40V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):最大750mV @ 50mA,500mA
  • 最大集电极截止电流 (Ic(off)):100nA
  • 最小直流电流增益 (hFE):100 @ 150mA, 1V
  • 最大功率:310mW
  • 跃迁频率:250MHz
  • 工作温度范围:-55°C至150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-236-3 / SC-59 / SOT-23-3

电气特性

MMBT4401在多种应用场景中的表现十分出色,具有较高的集电极电流承载能力(最大600mA),适合驱动小型负载和开关应用。其最大集射极击穿电压为40V,使得此款晶体管能够应用于中等电压的电路设计。此外,饱和压降(Vce(sat))的设置在合理范围内,使得其在工作时能有效降低功耗,提升效率。

增益与频率特性

该晶体管的直流电流增益(hFE)在向上100的范围内,确保在日常工作中具有稳定的增强性能。跃迁频率的高达250MHz,使得MMBT4401适合用于高频信号应用,能够满足现代电子设备对频带宽度的苛刻要求,适合用于RF(射频)和快速信号处理电路。

工作环境与可靠性

MMBT4401的工作温度范围从-55°C到150°C,这使得其能在极端环境条件下正常工作,适用于航空航天、汽车电子等高要求行业。这种宽广的温度适应性确保了该器件在各种气候条件下的可靠性与稳定性,适合应用于户外或极端环境条件下的设备。

封装与安装

MMBT4401采用SOT-23封装,体积小巧,这对于现代电子产品的小型化设计十分重要。其表面贴装类型(SMT)方便集成于高密度电路板中,提高了生产效率,并且减少了传统插装技术带来的空间占用。

应用场景

MMBT4401广泛应用于开关电源、信号放大、开关控制、音频放大、射频放大等多个领域。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制中,该晶体管都表现出色,受到工程师们的广泛好评。

总结

MMBT4401-13-F是一款体现了现代电子技术需求的NPN型晶体管,凭借其高电流能力、广泛的工作温度范围及小型封装设计,使其成为多种应用场景下的理想选择。无论是在日常消费者产品还是专业工业设备中,该晶体管都能以其优秀的性能表现帮助设计者实现高效的电路设计。

凭借DIODES的品牌信誉和质量保证,MMBT4401为各类电子应用提供了却高效和可靠的解决方案,值得工程师信赖与选用。