DMN67D8L-13

DMN67D8L-13 产品概述

产品简介

DMN67D8L-13 是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应晶体管），由美台（DIODES）公司制造，采用SOT-23-3封装。作为一种广泛应用于各种电子电路中的重要元器件，DMN67D8L-13凭借其优越的电气特性和可靠性，适合于高频开关电源、可穿戴设备、家电、汽车电子等多种应用场景。

技术规格

• FET 类型: N-Channel
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
• 漏源电压 (Vdss): 60V
• 持续漏电流 (Id) @ 25°C: 210mA
• 驱动电压 (Vgs): 5V (最大 Rds On)；10V (最小 Rds On)
• 导通电阻 (Rds On) 最大值: 5Ω @ 500mA，10V
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大值: 2.5V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg) 最大值: 0.82nC @ 10V
• 栅极源极电压 (Vgs 最大值): ±30V
• 输入电容 (Ciss) 最大值: 22pF @ 25V
• 功率耗散 (Pd): 340mW
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 封装类型: SOT-23

性能优势

DMN67D8L-13 的设计使其在开关频率要求较高的情况下依然能够保持低开关损耗，这在开关电源、LED驱动、直流-直流变换器等应用中尤为重要。较低的导通电阻（Rds On）和较小的栅极电荷（Qg）意味着该MOSFET在工作过程中将有助于提高系统的整体效率，进而降低发热与功耗。这些特性对于电池驱动的设备（如可穿戴设备和移动设备）尤为关键，能够延长设备的使用寿命和运行时间。

应用领域

由于其良好的电力传输性能和较宽的工作温度范围，DMN67D8L-13 被广泛应用于：

1. 开关电源：有效提升功率转换效率。
2. LED照明驱动：提供高效的电流控制，确保LED的稳定工作。
3. 电池管理系统：在电池充放电过程中提供稳定的电流路径。
4. 智能家居设备：用于小型电机控制和开关调节。
5. 汽车电子：在车载电源管理和控制模块中使用，确保系统的安全和稳定性。

封装与安装

DMN67D8L-13 采用SOT-23封装，体积小巧，适合表面贴装技术（SMT），非常适合空间有限的应用。该封装设计也使得热量易于散发，提高了设备的工作稳定性。使用SOT-23的设计，使得DMN67D8L-13在整个PCB上的布局更加灵活，提高了设计的兼容性。

总结

DMN67D8L-13是一款在多个电子应用中表现优良的N沟道MOSFET，以其高效率、低功耗和广泛的工作温度范围而受到设计工程师的青睐。无论是用于高频开关电源，亦或是用于电池供电的便携式设备，DMN67D8L-13都能为系统提供可靠的性能支持，为各种创新的电子产品助力。