2N7002H-13

2N7002H-13 产品概述

1. 产品简介

2N7002H-13 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由美台（DIODES）公司生产。该器件封装形式为 SOT-23，适合表面贴装应用，广泛应用于可穿戴设备、消费电子、工业控制和电源管理等领域。作为一款具有优良电气特性和高温工作能力的 MOSFET，2N7002H-13 设计用于中到低功率开关和放大器设计。

2. 主要参数

• FET 类型: N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物半导体）
• 漏源电压（Vds）: 60V
• 连续漏极电流（Id）: 170mA（在 25°C 时）
• 栅源电压（Vgs）: 5V（最大 Rds On，最小 Rds On）
• 导通电阻（Rds(on)）: 7.5 Ω（最大值，@ 50mA，5V 时）
• 阈值电压（Vgs(th)）: 3V（最大值，@ 250µA）
• 栅极电荷（Qg）: 0.35nC（最大值，@ 4.5V 时）
• 输入电容（Ciss）: 26pF（最大值，@ 25V）
• 功率耗散: 370mW（在 25°C，环境温度条件下）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（结温 TJ）
• 封装类型: SOT-23 （TO-236-3, SC-59）
• 最大栅源电压（Vgs）: ±20V

3. 电气特性分析

2N7002H-13 的电气特性使其适合多种应用特定。其漏源电压（Vds）为 60V，能力，确保其在较高电压环境下稳定工作。170mA 的连续漏极电流（Id），同时结合 370mW 的功率耗散能力，使得该 MOSFET 能满足多种低功耗应用场景的设计需求。

在开关特性方面，2N7002H-13 的 Rds(on) 最大值为 7.5 Ω，能够在 5V 驱动电压下确保低导通损耗，极大优化了整个电路系统的能效。其阈值电压（Vgs(th)）的设定使得该器件可以在较低的栅电压下被有效驱动，为多种低电压控制电路提供了良好的兼容性。

4. 温度与环境适应性

2N7002H-13 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，符合苛刻环境下的长期稳定性需求。这使得它不仅适合于消费电子产品的日常应用，同时也能在极端条件下的工业和汽车电子领域持续发挥其功能，展现了其优越的热稳定性。

5. 包装与安装

该器件采用 SOT-23 封装，适用于表面贴装技术，能够灵活应对现代电子设备对小型化、轻量化的需求，极大方便了自动化生产线的组装。这种微型封装进一步增强了其在狭小空间内的适用性，确保设计的紧凑型和高效能。

6. 应用领域

2N7002H-13 在电子设备中的应用非常广泛，其优秀的电性能使其成为开关电源、反向电流保护、定时器功能、信号调理以及电机驱动等多个领域的重要组成部分。在消费电子领域，该器件可用于音频设备调节、照明控制系统和小型电机控制等场合，完美满足现代电路设计的需求。

7. 总结

总的来说，2N7002H-13 是一款性能卓越的N沟道MOSFET，具有低功耗、高效率和良好的热性能。无论在消费电子还是工业领域，其出色的电气性能和广泛的工作温度范围，都使其成为极具竞争力的选择。对于追求高效能与小型化的现代电子设计者来说，2N7002H-13 是一种理想的开关元件。