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DMN67D7L-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 570mW 60V 210mA 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.271按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.271
--
500+
￥0.181
--
5000+
￥0.157
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN67D7L-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 210mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .821nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±40V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 570mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN67D7L-13手册
无数据
DMN67D7L-13概述
产品概述：DMN67D7L-13 N通道MOSFET
1. 基本信息
DMN67D7L-13 是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由DIODES（美台）公司制造，适合各种电子应用。该器件采用SOT-23-3表面贴装型封装，提供了优异的电气特性和高功率密度，广泛应用于电源管理、开关电源和驱动电路中。
2. 主要技术参数
- FET类型: N通道
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 210mA（在25°C环境下）
- 驱动电压: 最小5V，最大10V（在不同的Rds On下）
- 导通电阻（Rds On）: 最大5欧姆（@500mA，10V）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大2.5V（@250µA）
- 栅极电荷（Qg）: 最大.821nC（@10V）
- 最大栅源电压（Vgs）: ±40V
- 输入电容（Ciss）: 最大22pF（@25V）
- 功率耗散: 最大570mW（在25°C环境下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ）
- 封装类型: SOT-23-3
3. 应用场景
DMN67D7L-13MOSFET因其高效能和可靠性，常用于以下应用：
- 电源管理: 在开关电源中，MOSFET可作为开关元件，提升转换效率，降低能量损耗。
- 电机驱动: 在各种电机驱动应用中，DMN67D7L-13能够有效地控制电机的启停和调速，满足应用需求。
- 信号开关: 该器件可用作信号开关，控制信号路径的开启和关闭，广泛应用于通信设备和信号处理电路中。
- 高频应用: 由于其低输入电容和快速开关特性，适合在高频率的应用中，例如RF设备和数据通信系统中。
4. 性能优势
高效率和低功耗: DMN67D7L-13在控制电流和电压时展现出优异的效率表现。在最小化导通电阻的情况下，实现更低的功耗，适合对能效要求高的设计。
宽工作温度范围: 根据-55°C至150°C的工作温度范围，该MOSFET适合在极端环境条件下工作，保证了设备的可靠性和稳定性。
适应性强: DMN67D7L-13由于其封装设计和电气性能，可以在多种电路应用中通用，满足不同设计需求。
紧凑设计: SOT-23-3表面贴装封装使得DMN67D7L-13适合空间受限的应用，它允许设计师在小型化的PCB上使用。
5. 结论
DMN67D7L-13是一款多功能、高性价比的N通道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和宽广的应用范围，成为许多电子设备设计者的首选。无论是在电源管理、电机控制、信号开关还是高频应用中，它都能为产品提供高效、可靠的解决方案，是推动现代电子技术进步的重要元件。对其正确的应用可以帮助工程师实现更加节能高效的产品设计。