DMN63D1LW-13
DMN63D1LW-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 380mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.3nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30pF @ 25V |
DMN63D1LW-13手册
DMN63D1LW-13概述
产品概述：DMN63D1LW-13
DMN63D1LW-13 是一款由美台公司（Diodes Incorporated）生产的高性能 N 通道 MOSFET 元件。这款场效应管采用紧凑的 SOT-323 封装设计，非常适合各种空间受限的电子应用。其工作性能及特点使其在移动设备、便携式电子产品、开关电源、以及电池管理系统等领域得到了广泛的应用。
主要特性
高电流输送能力： DMN63D1LW-13 是一款具有优良电流容量的 MOSFET，在 25°C 的环境温度下，允许的连续漏极电流高达 380mA。这一特性使得此器件能够高效地驱动负载，适合用于要求较高输出能力的电路。
最大漏源电压（Vdss）： 本产品的漏源电压最大可达 60V，这意味着它能够在较高电压环境下工作，提升了其在电气集成中的灵活性。这一特性使得 DMN63D1LW-13 可用于如电源开关、马达驱动和其他高压应用的理想选择。
低导通电阻： DMN63D1LW-13 在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为 2 欧姆（@ 500mA），体现出较低的导通损耗。这一特性在提升整体电路效率的同时，也减少了因功率损耗而导致的热量产生。
宽工作温度范围： 器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C 的高温表现，使得该 MOSFET 在恶劣环境下依然能够稳定工作，适用于汽车和工业设备等复杂环境。
小型封装： 采用 SOT-323 封装的 DMN63D1LW-13，其体积小巧，方便在 PCB 上布置，减少了电路板的占用空间，适合现代电子设备对小型化的需求。
快速开关特性： 在不同 Vgs 条件下，DMN63D1LW-13 的栅极电荷（Qg）最大值为 0.3nC（@ 4.5V），同时在输入电容（Ciss）方面，其最大值为 30pF（@ 25V）。这一小电荷特性使得 MOSFET 在高频开关应用中表现出色，能够快速响应操作，降低了开关损失。
典型应用
DMN63D1LW-13 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 移动设备：在智能手机、平板电脑等消费电子产品中，提供高效的电源管理和负载开关功能；
- 电池管理系统：通过高低压控制，实现对电池充放电的有效管理，并保护电路安全；
- 开关电源：作为主要开关元件，提高电源转换系统的效率，降低能耗；
- 马达驱动：适用于小型电机和家电中的控制功能，提升产品的性能与可靠性。
结论
总的来说，DMN63D1LW-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，结合了优异的电气特性和宽广的环境适应性，所提供的低导通电阻和高电流能力使其在众多电子应用中表现出色。这款产品的可靠性和效率，让其成为现代电路设计中不可或缺的重要元件。无论是在消费电子还是工业设备领域，DMN63D1LW-13 均能满足设计师对高效能和小型化的严格要求。