DCX114EU-13R-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DCX114EU-13R-F

商品编码: BM0084328158
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.26
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.26
--
500+
¥0.173
--
5000+
¥0.15
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DCX114EU-13R-F参数

晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

DCX114EU-13R-F手册

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无数据

DCX114EU-13R-F概述

产品概述:DCX114EU-13R-F

一、产品简介

DCX114EU-13R-F 是一款由 DIODES(美台)推出的数字晶体管,具有双极性结构,包含一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,采用预偏置设计。该产品以其高集电极电流、较高的击穿电压和极小的饱和压降,适用于各种需要开关和信号放大的电子电路中。封装形式为 SOT-363,适合表面贴装,能够在多种 PCB 设计中有效集成。

二、基本参数

  1. 晶体管类型:该器件包含1个 NPN 晶体管和1个 PNP 晶体管,具有优良的配对特性,便于构建各种差分放大和开关电路。
  2. 最大集电极电流 (Ic):100mA,适合于中等功率的应用。
  3. 集射极击穿电压 (Vce):最大值为50V,能够满足大多数低电压应用的需求。
  4. 基极电阻 (R1):10 kΩ,适宜进行基极偏置,确保晶体管在适当的工作状态。
  5. 发射极电阻 (R2):同样为10 kΩ,提供良好的线性工作范围。
  6. DC 电流增益 (hFE):在1mA 和 5V的条件下,hFE的最小值为100,优势明显,使其适合用于信号放大。
  7. 饱和压降:Vce 饱和压降的最大值为300mV,当 Ib 为 500µA 和 Ic 为 10mA时。这一特性使得该组件在大电流条件下依然能保持较低的功耗及热效率。
  8. 集电极截止电流 (ICBO):最大值仅503nA,确保在关断状态下的低漏电流。
  9. 频率性能:跃迁频率高达250MHz,适合用于高频开关和信号调制的需求。
  10. 功率消耗:最大功率为200mW,适合于小功率处理的应用场景。
  11. 安装类型:表面贴装型 (SMD),便于自动化贴装,符合现代电子制造标准。

三、应用领域

DCX114EU-13R-F 的特性使其适用于多种应用场景,尤其包括:

  • 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、家用电器等,需要高效开关及信号放大的电路。
  • 通信设备:由于其高频特性,适用于无线通信和信号放大器。
  • 工业自动化:在传感器信号处理和执行元件控制中应用广泛。
  • 电源管理:用于高效的电源开关设计,降低功耗和热量。

四、市场优势及品牌保证

作为 DIODES(美台)出品的数字晶体管,DCX114EU-13R-F 享有配合其良好的品质保证和技术支持。DIODES 在半导体行业享有良好的声誉,其产品以高度可靠性及创新的设计而闻名,能够为客户提供优质、高效的电子解决方案。

五、结论

凭借其出色的电性能、适中的功耗和广泛的适用性,DCX114EU-13R-F 代表了现代数字信号处理与功率控制技术的前沿产品。其极小的封装尺寸与高集成度,使其成为设计师在选择适合的电子元件时的优先选择。无论是在消费类电子、工业设备还是通信领域,DCX114EU-13R-F 都能够为电路设计带来卓越的性能,助力未来的创新与发展。