晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
DCX114EU-13R-F 是一款由 DIODES(美台)推出的数字晶体管,具有双极性结构,包含一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,采用预偏置设计。该产品以其高集电极电流、较高的击穿电压和极小的饱和压降,适用于各种需要开关和信号放大的电子电路中。封装形式为 SOT-363,适合表面贴装,能够在多种 PCB 设计中有效集成。
DCX114EU-13R-F 的特性使其适用于多种应用场景,尤其包括:
作为 DIODES(美台)出品的数字晶体管,DCX114EU-13R-F 享有配合其良好的品质保证和技术支持。DIODES 在半导体行业享有良好的声誉,其产品以高度可靠性及创新的设计而闻名,能够为客户提供优质、高效的电子解决方案。
凭借其出色的电性能、适中的功耗和广泛的适用性,DCX114EU-13R-F 代表了现代数字信号处理与功率控制技术的前沿产品。其极小的封装尺寸与高集成度,使其成为设计师在选择适合的电子元件时的优先选择。无论是在消费类电子、工业设备还是通信领域,DCX114EU-13R-F 都能够为电路设计带来卓越的性能,助力未来的创新与发展。