DMN63D1LT-7
DMN63D1LT-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 320mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 392nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
DMN63D1LT-7手册
DMN63D1LT-7概述
DMN63D1LT-7 产品概述
概述
DMN63D1LT-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为各类电子应用设计，特别适用于需要高效率和可靠性的电源管理和开关控制电路。它的最大漏源电压为 60V，持续漏极电流能力为 320mA，适合中低功率应用中，提供卓越的开关性能和电源效率。该器件采用 SOT-523 封装，具有小型化和表面贴装的优势，使其在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。
关键特性
电源电压和电流：DMN63D1LT-7 的漏源电压（Vdss）可达到 60V，适合于各种电源电路的设计；其连续漏极电流（Id）为 320mA，能够满足多种负载需求。
稳定的导通电阻及开关性能：在 Vgs 为 10V 和 500mA 的条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值为 2Ω。该特性确保了在工作时具有较低的功率损耗，提升了整体能效。
优秀的阈值电压和栅极特性：DMN63D1LT-7 的 Vgs(th) 最大值为 2.5V @ 1mA，确保器件能够在较低的栅极电压下快速导通。此外，栅极电荷（Qg）最大值为 392nC（在 4.5V 时），使得器件在开关时能够实现快速响应，适用于高频开关应用。
耐热和可靠性：该 MOSFET 的工作温度范围广，从 -55°C 到 150°C，使其能够在极端环境下稳定工作。此外，最大功率耗散可达 330mW，保证了其在高功率密度应用中的稳定性和耐用性。
电容特性：该器件的输入电容（Ciss）最大值为 30pF @ 25V，提供了优良的频率响应，能够有效降低高频环境下的信号损失。
应用场景
DMN63D1LT-7 非常适合用于多种电子产品，如：
开关电源：能够在各种电源转换电路中担当开关元件角色，优化功率效率和输出稳定性。
电机驱动电路：可用于低功率电机的启停控制，确保平稳的启动和高效的运行。
电池管理系统：在智能电池管理系统中，能够精确控制电池充放电；其高耐温范围亦可适应多种环境。
LED 驱动：适合在 LED 应用中，提供稳定的驱动电压和电流，确保 LED 的亮度和使用寿命。
消费电子产品：在各种便携式和消费电子产品中，能广泛应用于电源切换、信号调制和电源管理模块。
总结
DMN63D1LT-7 是一款功能强大且灵活的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电气特性和可靠性，成为各种电子设计的理想选择。通过其高效的开关性能和广泛的工作温度范围，该MOSFET可广泛应用于多种电源及控制电路中，为设计师提供了一种可靠的解决方案。无论是在电源管理、LED 驱动、还是电机控制领域，DMN63D1LT-7 均是理想的电子元件选择，满足现代电子设备对高效、紧凑和耐用设计的要求。