DDTC114YLP-7 产品实物图片
DDTC114YLP-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC114YLP-7

商品编码: BM0084328142
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.01g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 DFN-3(1x0.6)
库存 :
5515(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.443
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.443
--
200+
¥0.286
--
1500+
¥0.249
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC114YLP-7参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)180 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值250mW
安装类型表面贴装型封装/外壳3-UFDFN
供应商器件封装3-X1DFN1006

DDTC114YLP-7手册

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DDTC114YLP-7概述

DDTC114YLP-7 产品概述

一、产品基本信息

DDTC114YLP-7 是由 DIODES(美台)出品的一款高性能数字晶体管,属于 NPN 类型的预偏置晶体管。它采用表面贴装型(SMD)封装,具体封装类型为 3-UFDFN(3-X1DFN1006),尺寸为 1mm x 0.6mm。该晶体管适合各种电子器件的设计与应用,特别是在小型化、低功耗和高性能的场合。

二、技术参数

  • 电流 - 集电极 (Ic):最大值为 100mA,能够满足大部分中小功率应用的需求。
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce):该晶体管的最大集射极击穿电压为 50V,可以在较高的电压环境中稳定工作。
  • DC 电流增益 (hFE):在 Ic 为 50mA,Vce 为 5V 的条件下,最小的电流增益为 180,确保了驱动能力的可靠性。
  • Vce 饱和压降:在 Ib 为 5mA,Ic 为 50mA 的情况下,最大饱和压降为 200mV,适合低功耗电路设计。
  • 电流 - 集电极截止:最大值为 500nA,能有效降低静态功耗,适合低功耗应用。
  • 频率 - 跃迁:最高频率为 250MHz,适合高速开关与信号处理。
  • 功率 - 最大值:该模型的最大功耗为 250mW,适应各种功耗限制的场合。

三、应用领域

DDTC114YLP-7 的设计涵盖多个应用领域,其主要应用包括:

  1. 数字电路:因其小型化的封装和良好的电流增益,广泛适用于各种数字电路的开关和信号放大。

  2. 音频放大器:在音频设备中,可用于音频信号的放大,改善音频品质。

  3. RF 应用:由于其高速性能,该晶体管适合无线电频率(RF)应用,提供有效的信号处理能力。

  4. 电池供电设备:低静态功耗和良好的性能使其非常适合电池供电的设备,延长电池寿命。

  5. 视听产品:其特性适用于视听产品中,提供高效的信号处理与放大功能。

四、设计注意事项

在设计电路时,使用 DDTC114YLP-7 时需要注意以下几点:

  1. 预偏置设计:由于该晶体管是预偏置型,工程师在设计接口时需确保基极驱动电流的适当设定,以确保其稳定工作。

  2. 热管理:尽管最大的功耗为 250mW,设计时需注意设计良好的散热方案,以应对长时间工作的热升高。

  3. 焊接工艺:由于其小型的封装,焊接时需采用适合的表面贴装技术(SMT),采用正确的温度和时间,以达到最佳的焊接效果。

  4. 电气隔离:在高频应用中,需确保适当的引线布局和电气隔离,以降低信号干扰,并提升整体性能。

五、总结

DDTC114YLP-7 是一款高效、可靠的数字综合网晶体管,具备了多种适用于现代电子设备的特性,设计工程师无论在数字电路、音频放大、RF 应用等方面,都能充分发挥其优势。凭借 DIODES 优质的制造工艺及严格的质量控制,该产品在为广泛市场需求提供高性能解决方案方面,表现不俗。