晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 3-UFDFN |
供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 |
DDTC114YLP-7 是由 DIODES(美台)出品的一款高性能数字晶体管,属于 NPN 类型的预偏置晶体管。它采用表面贴装型(SMD)封装,具体封装类型为 3-UFDFN(3-X1DFN1006),尺寸为 1mm x 0.6mm。该晶体管适合各种电子器件的设计与应用,特别是在小型化、低功耗和高性能的场合。
DDTC114YLP-7 的设计涵盖多个应用领域,其主要应用包括:
数字电路:因其小型化的封装和良好的电流增益,广泛适用于各种数字电路的开关和信号放大。
音频放大器:在音频设备中,可用于音频信号的放大,改善音频品质。
RF 应用:由于其高速性能,该晶体管适合无线电频率(RF)应用,提供有效的信号处理能力。
电池供电设备:低静态功耗和良好的性能使其非常适合电池供电的设备,延长电池寿命。
视听产品:其特性适用于视听产品中,提供高效的信号处理与放大功能。
在设计电路时,使用 DDTC114YLP-7 时需要注意以下几点:
预偏置设计:由于该晶体管是预偏置型,工程师在设计接口时需确保基极驱动电流的适当设定,以确保其稳定工作。
热管理:尽管最大的功耗为 250mW,设计时需注意设计良好的散热方案,以应对长时间工作的热升高。
焊接工艺:由于其小型的封装,焊接时需采用适合的表面贴装技术(SMT),采用正确的温度和时间,以达到最佳的焊接效果。
电气隔离:在高频应用中,需确保适当的引线布局和电气隔离,以降低信号干扰,并提升整体性能。
DDTC114YLP-7 是一款高效、可靠的数字综合网晶体管,具备了多种适用于现代电子设备的特性,设计工程师无论在数字电路、音频放大、RF 应用等方面,都能充分发挥其优势。凭借 DIODES 优质的制造工艺及严格的质量控制,该产品在为广泛市场需求提供高性能解决方案方面,表现不俗。