FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .35nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13.6pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 320mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
封装/外壳 | SOT-523 |
DMN31D6UT-13 是一款高效能的 N 通道 MOSFET(金属氧化物场效应管),由知名电子元件制造商 DIODES(美台)生产。该器件设计用于低电压和中等电流应用,提供了一系列优异的电气特性,使其在现代电子电路中广泛应用。其主要特性包括较低的导通电阻、较高的工作温度范围和紧凑的封装设计,非常适合需要高效能和节能的电源管理、开关电源、负载开关和其他功率控制电路。
电气参数
工作特性
温度范围
封装设计
DMN31D6UT-13 广泛应用于低功率直流-直流转换器、便携式设备、智能手机、平板电脑、家用电器等多种电子设备中。其高效能和小型化特性使其成为现代电子设计中不可或缺的开关元件。此外,因其优秀的热性能和可靠性,该器件也非常适合用于汽车电子和工业自动化领域。
DMN31D6UT-13 N 通道 MOSFET 以其超凡的电气性能、宽广的工作温度范围,以及紧凑的封装设计,成为各类电子产品中理想的开关管选择。无论是在性能上还是在经济性上,它都能为设计人员提供可靠的解决方案,为转变为节能型和高效型电子产品提供了强有力的支持。考虑到这些优越的特性,DMN31D6UT-13 将为未来的电子产品创新提供广泛的可能性。