DMN53D0L-13

DMN53D0L-13 产品概述

概述

DMN53D0L-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为各种电子应用而设计，能够在高效能和小型化的需求下运行。该器件具有出色的电气特性和广泛的应用场景，特别适合用于低压和中等功率的电子电路中。

主要技术参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 漏源电压（Vdss）: 50V
• 连续漏极电流（Id）: 500mA @ 25°C
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V 和 10V
• 导通电阻（最大值）: 1.6Ω @ 500mA，10V
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 1.5V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）: 0.6nC @ 4.5V
• 最大栅极源电压（Vgs）: ±20V
• 输入电容 (Ciss): 46pF @ 25V
• 功率耗散（最大值）: 370mW @ Ta
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安装类型: 表面贴装型（SMD）
• 封装: SOT-23（TO-236-3，SC-59）

产品特点

1. 高频特性: DMN53D0L-13 提供极低的栅极电荷和输入电容，使其在高频应用中表现出色，适合开关电源、频率转换器以及其他高频信号放大电路。

2. 低导通电阻: 该器件的导通电阻在正常工作条件下低至 1.6Ω，显著减少了在电流通过时的功耗，提高了电路的效率，有助于降低热量的产生。

3. 宽电压和电流范围: 基于其 50V 的漏源电压以及 500mA 的连续电流能力，DMN53D0L-13 可在多种低功率应用中广泛使用，特别是在电源管理、电机控制和照明设备中。

4. 宽温度范围: 适用于极端环境的工作温度范围（-55°C 到150°C），使其能够在军事、航空和汽车等高要求的场合中安全、稳定地工作。

5. 易于集成的封装: SOT-23 表面贴装封装设计，使 DMN53D0L-13 易于集成到密集的电路板上，节省空间，提高设计灵活性。

应用领域

DMN53D0L-13 可广泛应用于以下几个主要领域：

• 开关电源: 作为开关元件，降低能量损耗并提高效率。
• 电机驱动: 适用于直流电机和步进电机控制电路，提高控制精度和反应速度。
• 照明控制: 适用于 LED 驱动电路和其他照明控制应用。
• 电池管理系统: 适合于高效能的电量控制和监测，延长电池寿命。
• 汽车电子: 在汽车配件控制及信号处理方面，提供高可靠性和长寿命。

结论

作为 DIODES（美台）旗下的优质产品，DMN53D0L-13 N 通道 MOSFET 凭借其出色的电气特性、广泛的应用场景和优越的可靠性，成为现代电子产品设计中的理想选择。通过其在效率和性能之间的平衡，该MOSFET能够满足不断变化的市场需求，为设计师的创新提供支持。无论是在消费电子、汽车电气还是工业控制等多个领域，DMN53D0L-13 都展现了其卓越的价值和应用潜力。