功率(Pd) | 490mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 29pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@3.1A,10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.5nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 278pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 2.7A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
DMN3061SW-13是一款由DIODES(美台)公司生产的N沟道场效应管(MOSFET),其在电子电路中被广泛应用,特别适用于低至中等功率的开关和放大应用。该器件的主要参数包括额定功率490mW、最大电压30V和最大电流2.7A,具有良好的电气性能和热稳定性。
DMN3061SW-13采用SOT-323封装,这一封装形式具有体积小、散热性能良好等特点,适合用于空间要求较小的应用。SOT-323封装的尺寸为2.1mm x 2.9mm,厚度为0.95mm,因此非常适合于手持式电子设备、便携式计算机和其他小型电子设备的电源管理和信号处理电路中。
这些技术参数表明,DMN3061SW-13具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,确保其在高频切换的场合减少能量损耗,提高整体功率效率。
DMN3061SW-13的广泛应用领域包括但不限于:
DMN3061SW-13具有以下几大优势:
DMN3061SW-13是一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其优秀的电气特性、电源管理能力以及极致小巧的封装设计,成为各种应用的理想选择。无论是在消费电子、汽车领域还是在工业控制系统中,DMN3061SW-13都能够有效地提升能效、降低系统功耗,并为工程师提供灵活多变的设计方案。其优越的性能和稳定性也使得其成为电子设计和开发中不可或缺的关键元件选项。
对于希望在其设计中集成高效、可靠的开关控制解决方案的工程师而言,选择DMN3061SW-13是一个明智的决定。