DMN3061SW-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN3061SW-13

商品编码: BM0084328120
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 490mW 30V 2.7A 1个N沟道 SOT-323
库存 :
9650(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.562
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.562
--
100+
¥0.388
--
500+
¥0.353
--
2500+
¥0.327
--
5000+
¥0.305
--
10000+
¥0.285
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN3061SW-13参数

功率(Pd)490mW反向传输电容(Crss@Vds)29pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ@3.1A,10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)栅极电荷(Qg@Vgs)3.5nC@4.5V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)278pF@15V连续漏极电流(Id)2.7A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA

DMN3061SW-13手册

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DMN3061SW-13概述

产品概述:DMN3061SW-13

一、产品介绍

DMN3061SW-13是一款由DIODES(美台)公司生产的N沟道场效应管(MOSFET),其在电子电路中被广泛应用,特别适用于低至中等功率的开关和放大应用。该器件的主要参数包括额定功率490mW、最大电压30V和最大电流2.7A,具有良好的电气性能和热稳定性。

二、封装与特性

DMN3061SW-13采用SOT-323封装,这一封装形式具有体积小、散热性能良好等特点,适合用于空间要求较小的应用。SOT-323封装的尺寸为2.1mm x 2.9mm,厚度为0.95mm,因此非常适合于手持式电子设备、便携式计算机和其他小型电子设备的电源管理和信号处理电路中。

三、技术参数

  • 额定功率: 490mW
  • 最大漏源电压 (V_DS): 30V
  • 最大漏极电流 (I_D): 2.7A
  • 门源电压 (V_GS): ±20V
  • 导通电阻 (R_DS(on)): 在不同的V_GS下通常低于0.1Ω
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

这些技术参数表明,DMN3061SW-13具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,确保其在高频切换的场合减少能量损耗,提高整体功率效率。

四、应用领域

DMN3061SW-13的广泛应用领域包括但不限于:

  1. 电源管理系统: 用于DC-DC转换器、负载开关电源、电池管理系统等。
  2. 汽车电子: 在汽车电气系统中作为开关控制器,控制电机、灯光和其他电气组件的开关。
  3. 消费类电子: 在手机、平板电脑、智能穿戴设备等中用于节能开关和功率调节。
  4. 工业控制: 用于自动化设备中,控制电机和其他负载的工作状态,如开关电源和驱动模块。

五、优势与特色

DMN3061SW-13具有以下几大优势:

  • 高效率: 低R_DS(on)特性使得器件在工作过程中产生的热量大幅减少,这对于电源转换和开关电源设计尤为重要。
  • 紧凑设计: 小型的SOT-323封装允许设计人员在紧凑的空间内集成更多的功能,提高了系统的整体设计灵活性。
  • 高可靠性和稳定性: 器件的高温工作范围和强大的电流能力确保其在各种极端环境下的可靠运行。

六、结论

DMN3061SW-13是一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其优秀的电气特性、电源管理能力以及极致小巧的封装设计,成为各种应用的理想选择。无论是在消费电子、汽车领域还是在工业控制系统中,DMN3061SW-13都能够有效地提升能效、降低系统功耗,并为工程师提供灵活多变的设计方案。其优越的性能和稳定性也使得其成为电子设计和开发中不可或缺的关键元件选项。

对于希望在其设计中集成高效、可靠的开关控制解决方案的工程师而言,选择DMN3061SW-13是一个明智的决定。