DMN53D0LDWQ-7
DMN53D0LDWQ-7参数
| 功率(Pd) | 400mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.7pF@25V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@10V,0.46A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.4nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | 类型 | 2个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 49.5pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 460mA |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
DMN53D0LDWQ-7手册
DMN53D0LDWQ-7概述
DMN53D0LDWQ-7 产品概述
概述
DMN53D0LDWQ-7 是由美台半导体（DIODES）生产的一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），其应用广泛，适用于各种电子电路的开关和放大应用。这款MOSFET具备优秀的电气特性，能够在高效能和高频操作条件下稳定运行，适合多种消费类和工业级应用场景。
主要特点
高功率密度：DMN53D0LDWQ-7 的额定功率为400mW，额定电压为50V，使其能够承受较高的电压和电流，满足多种应用需求。
额定电流：其最大额定漏极电流可达460mA，意味着在设计电路时可以更灵活地选用此元件，以提高整体电路的效率和性能。
优良的开关特性：该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度，这使得它在高频应用中表现出色，可以有效减少开关损耗，提高系统效率。
紧凑的封装：DMN53D0LDWQ-7 采用 SOT-363 封装，这种小型化设计不仅可以节省 PCB 空间，还能提高散热性能，适合用于空间受限的应用。
高温工作范围：该MOSFET能够在较高的工作温度范围内稳定工作，使其适用于苛刻的环境条件，例如汽车电子和工业控制系统。
应用领域
DMN53D0LDWQ-7 适用的领域包括但不限于：
开关电源：由于其高开关频率和低导通电阻，适合用于电源转换器，如AC-DC转换器和DC-DC稳压器。
电机驱动：MOSFET的快速开关特性和高电流承受能力使其成为电机驱动应用的理想选择，能够提高电机控制的效率。
LED驱动电路：在LED灯具和照明应用中，可以用作驱动开关，有效控制LED的亮度和功耗。
消费电子产品：广泛应用于手机、平板电脑及其他便携设备中，提供高效能电源管理和信号处理。
汽车电子：在汽车控制系统中，DMN53D0LDWQ-7 适用于各种电源管理应用，支持更安全和高效的汽车功能实现。
性能参数
- 工作电压：最大Vds = 50V
- 漏极电流：最大Id = 460mA
- 功率损耗：最大Pd = 400mW
- 输出电容：优良的开关性能，瞬时响应快，适合高频应用。
设计注意事项
在设计使用DMN53D0LDWQ-7的电路时，应注意以下几点：
热管理：由于功率损耗的因素，电路设计中应合理配置散热措施，确保MOSFET在安全温度范围内工作。
驱动电路：选择合适的门极驱动设计，以保证MOSFET的快速开启与关闭，降低开关损耗。
电源滤波：在电源输入端及输出端加装合适的滤波器，以降低干扰信号对MOSFET性能的影响。
偏置电压：合理的栅极电压设计可以降低开关损耗，提高效率，最优化电路性能。
总结
DMN53D0LDWQ-7 作为 DIODES（美台）推出的一款 N 沟道 MOSFET，以其优越的电气特性和紧凑的 SOT-363 封装，适合广泛应用于多种电子电路中。无论是开关电源、照明控制还是电机驱动，DMN53D0LDWQ-7 都能够提供可靠的性能与高效能，有助于实现更高效、紧凑的电子设计。其在高电压下的稳定运行能力和良好的热性能，使其成为现代电子设计中不可或缺的核心组件。