DMN10H220LFDF-7
DMN10H220LFDF-7参数
| 功率(Pd) | 1.3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 17pF@25V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@10V,1.6A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.3nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 401pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 1.6A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
DMN10H220LFDF-7手册
DMN10H220LFDF-7概述
DMN10H220LFDF-7 产品概述
1. 产品简介
DMN10H220LFDF-7 是由美台（DIODES）生产的一款高性能场效应管（MOSFET）。这款器件采用了先进的半导体技术，具有 1.1W 的额定功率，最大工作电压 100V 和持续电流 2.2A。其N沟道设计使其在许多电子应用中表现出色，特别是在高效的能量转换和开关应用中。
2. 封装特性
DMN10H220LFDF-7 采用 U-DFN2020-6 封装，尺寸小巧，符合现代电子设备对空间 miniaturization 的需求。DFN（扁平双列引脚，无引脚封装）设计使得器件的引脚布局更为紧凑，具有良好的信号完整性和热性能。由于其低导通电阻，这款 MOSFET 能够在工作时有效降低功耗，提升整体电路性能。
3. 关键参数
- 类型：N沟道 MOSFET
- 额定功率：1.1W
- 最大电压：100V
- 持续电流：2.2A
- 封装：U-DFN2020-6
这些参数使得 DMN10H220LFDF-7 在多种应用环境中都具有很强的适用性，尤其是需要较高电压和电流的场合。
4. 性能特点
低导通电阻：得益于其高效的内部结构和材料，此型号 MOSFET 拥有较低的 RDS(on)，这意味着在工作时流过 MOSFET 的电流造成的功耗更低，提高了整体电路效率。
快速开关特性：该器件支持快速开关，能够在高频率下有效工作。这对于现代开关电源（SMPS）、逆变器和其他需要快速反应的应用至关重要。
强大的热管理能力：由于使用了散热良好的封装结构，处理高功率时，器件可保持相对低的温度。良好的热性能使得 DMN10H220LFDF-7 可以在较高环境温度下稳定运行。
5. 应用领域
DMN10H220LFDF-7 适合广泛的应用，包括但不限于：
- 开关电源：在电源管理中，MOSFET 用于高效开关和电流控制。
- 电机驱动：在电机控制系统中，MOSFET 可用于 PWM 控制，使得电机的运行更加平滑。
- LED 驱动电路：在 LED 照明应用中，MOSFET 可用作调光控制器，以提高光效和节能。
- 电池管理系统：作为充放电管理的重要组成部分，MOSFET 在电池均衡中起到至关重要的作用。
6. 设计考虑
在使用 DMN10H220LFDF-7 时，设计者应仔细考虑器件的电气特性，包括最大工作电压和电流，确保其在安全范围内运行。此外，建议设计合适的散热措施，以保证器件在高负载下的稳定性和可靠性。
7. 结论
作为一款功能强大的 N沟道 MOSFET，DMN10H220LFDF-7 不仅具备高效的电气性能，还具有优良的热管理特性，适合在各种现代电子应用中使用。它可以帮助设计人员优化系统效率，为最终产品提供更加可靠和高效的解决方案。随着科技的不断发展，选择合适的 MOSFET 对于任何电子项目的成功都将是至关重要的，而 DMN10H220LFDF-7 无疑是一个值得信赖的选择。