FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.5 欧姆 @ 200mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .7nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 40.9pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 360mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN0806-3 |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMP32D5LFA-7B 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,专为低功耗应用而设计。该器件由 DIODES 公司生产,采用现代半导体技术,提供优异的电性能和可靠性。其多样的应用范围和优秀的参数配置使其成为市场上值得信赖的选择。
DMP32D5LFA-7B 的漏源电压为 30V,保证了其在多种高压应用环境下的稳定性。它的最大功率耗散为 360mW,使其适用于功耗较低的电路设计。
DMP32D5LFA-7B 由于其优越的性能与宽泛的工作温度范围,适合多种应用场景:
DMP32D5LFA-7B 使用 X2-DFN0806-3 封装类型,表面贴装设计使其在现代电子设备中易于组装,节省了空间并提升了整体的电路密度。此外,DFN 封装具有优良的热性能,可有效散热,保障器件在高负荷工作时的稳定性。
DMP32D5LFA-7B 是一款高效、稳定的 P 通道 MOSFET,其优越的电气特性和广泛的应用范围使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件。通过选用该器件,工程师能够在保障性能的同时,优化电路设计,降低功耗且提高效率。无论是电源管理还是信号处理领域,DMP32D5LFA-7B 都能为您的项目提供可靠的解决方案。