DMP32D5LFA-7B 产品实物图片
DMP32D5LFA-7B 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP32D5LFA-7B

商品编码: BM0084328105
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X2DFN08063
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.389
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.389
--
500+
¥0.259
--
5000+
¥0.225
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP32D5LFA-7B参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.5 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值).7nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±8V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)40.9pF @ 15V
功率耗散(最大值)360mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装X2-DFN0806-3
封装/外壳3-XFDFN

DMP32D5LFA-7B手册

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DMP32D5LFA-7B概述

DMP32D5LFA-7B 产品概述

1. 简介

DMP32D5LFA-7B 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,专为低功耗应用而设计。该器件由 DIODES 公司生产,采用现代半导体技术,提供优异的电性能和可靠性。其多样的应用范围和优秀的参数配置使其成为市场上值得信赖的选择。

2. 基本参数

  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 封装类型: X2-DFN0806-3
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C

DMP32D5LFA-7B 的漏源电压为 30V,保证了其在多种高压应用环境下的稳定性。它的最大功率耗散为 360mW,使其适用于功耗较低的电路设计。

3. 性能特点

  • 漏极电流 (Id): 该MOSFET在 25°C 时的连续漏极电流可达 300mA,适合于一般的开关应用和负载控制。
  • 导通电阻 (Rds On): 在 Vgs 为 4.5V、Id 为 200mA 时,最大导通电阻为 1.5Ω,提供了良好的导电性能和低功耗特性。
  • 栅极电压 (Vgs): 器件在极限栅极电压下可承受 ±8V,增强了其灵活性,并使其在设计中使用更加方便。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 各种环境下,最大 Vgs(th) 为 1.2V(@ 250µA),确保了器件能在低电压下启动,适应更广泛的控制电路。
  • 栅极电荷 (Qg): 在 Vgs 为 4.5V 时,器件的栅极电荷达到 0.7nC,优良的交换速度使其适用于快速开关的应用需求。
  • 输入电容: Ciss 最大值为 40.9pF(@ 15V),较好的输入特性降低了对驱动电路的负担。

4. 应用领域

DMP32D5LFA-7B 由于其优越的性能与宽泛的工作温度范围,适合多种应用场景:

  • 电源管理: 该器件可广泛运用于电源开关、DC-DC 转换器和电池管理系统。
  • 模拟电路: 在音频和视频设备中,用于音量调节和开关控制。
  • 信号开关: DMP32D5LFA-7B 可以用作信号路径的开关,适应于多路复用器和选择器等应用。
  • 嵌入式系统: 对于那些对体积与功耗要求较高的嵌入式设计,DMP32D5LFA-7B 提供了理想的解决方案。

5. 封装与安装

DMP32D5LFA-7B 使用 X2-DFN0806-3 封装类型,表面贴装设计使其在现代电子设备中易于组装,节省了空间并提升了整体的电路密度。此外,DFN 封装具有优良的热性能,可有效散热,保障器件在高负荷工作时的稳定性。

6. 结论

DMP32D5LFA-7B 是一款高效、稳定的 P 通道 MOSFET,其优越的电气特性和广泛的应用范围使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件。通过选用该器件,工程师能够在保障性能的同时,优化电路设计,降低功耗且提高效率。无论是电源管理还是信号处理领域,DMP32D5LFA-7B 都能为您的项目提供可靠的解决方案。