DMN60H080DS-7
DMN60H080DS-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80mA (Ta) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 欧姆 @ 60mA, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN60H080DS-7手册
DMN60H080DS-7概述
产品概述: DMN60H080DS-7
引言
DMN60H080DS-7 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为需要高电压和适度电流应用而设计。该器件具有600V的漏源电压（Vdss）和80mA的连续漏极电流（Id），适合多种电力管理和开关应用。它采用表面贴装型（SMD）封装，封装类型为SOT-23-3，提供紧凑的解决方案，适合空间受限的电路板。
技术参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 25°C 下的连续漏极电流 (Id): 80mA
- 驱动电压（最大 Rds On、最小 Rds On）: 4.5V, 10V
- 导通电阻（Rds(on)）最大值: 100Ω @ 60mA, 10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值: 3V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）最大值: 1.7nC @ 10V
- 栅源电压（Vgs）最大值: ±20V
- 输入电容（Ciss）最大值: 25pF @ 25V
- 功率耗散最大值: 1.1W (Ta)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装: SOT-23-3
功能与应用
DMN60H080DS-7 适用于多个应用，如：
电源管理: 该MOSFET在电源转换器和适配器中扮演关键角色，能够高效地控制和开关电源流，降低功耗。
LED 驱动: 本器件能够用于LED照明应用，通过高电压和相对较低的电流提高效率，适用于各种照明方案。
电机驱动: 其高电压能力使其成为驱动直流电机和步进电机的理想选择。
开关应用: 在家庭自动化和工业设备中，该MOSFET可用于各种开关应用，提供高效的控制能力。
性能优势
高漏源电压: 600V的额定电压使其能够在高压环境中稳定工作，拓宽了其应用范围。
低导通电阻: 在60mA及10V时，Rds(on) 最大值仅为100Ω，为电路提供更高的效率，降低发热量。
小型封装: SOT-23-3的紧凑封装使其便于在空间受限的电路板上使用，有助于设计更小型化的电子产品。
广泛的工作温度范围: -55°C 至 150°C的宽工作温度范围保证了其在恶劣工作环境中的可靠性。
设计建议
在选择DMN60H080DS-7进行设计时，请务必考虑其最大功率耗散（1.1W）和所需散热设计。确保栅源电压（Vgs）在规定范围内，以避免对器件造成损害。此外，通过适当的PCB布局和布局设计来最小化额外的输入和输出电容，以提高整体性能。
结论
DMN60H080DS-7 是一款高效、可靠且小型化的N沟道MOSFET，适用于多种高压应用。其优异的性能参数使其在现代电子设计中成为一款理想的选择，特别是在需要高能效和紧凑设计的场景中。无论是在电源管理、LED驱动，还是电机控制领域，DMN60H080DS-7都能提供强大的性能与灵活性，是您电子设计中不可或缺的基础器件之一。