晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
产品概述:BC858AW-7-F
BC858AW-7-F是由DIODES(美台)公司推出的一款高性能PNP型双极结晶体管(BJT),设计用于多种电子应用场景,包括信号放大、电流开关和小功率开关电路。该器件在表面贴装的SOT-323封装中,便于集成到现代电子设备中,为工程师和设计师提供了理想的解决方案。
晶体管类型:BC858AW-7-F是一款PNP型晶体管,这意味着其主要电流流向是从发射极 (E) 到基极 (B) 的方向。这种特性使其在负载控制和放大电路中具有广泛的应用。
最大集电极电流 (Ic):该产品的最大集电极电流为100mA,这使BC858AW-7-F在小至中等功率应用中表现出色,能够支持多种负载。
集射极击穿电压 (Vce):BC858AW-7-F的最大集射极击穿电压为30V,确保其在高电压环境下的稳定性和安全性。这种高击穿电压使其适用于多种电源管理和信号处理应用。
饱和压降 (Vce(sat)):在工作条件下,当基极电流为5mA或100mA时,最大饱和压降为650mV。这一参数在设计低功耗电路时尤为重要,能够有效减少功耗和热量损失。
集电极截止电流 (Icbo):该晶体管的集电极截止电流仅为15nA,意味着其静态功耗非常低,尤其适用于需要长时间保持状态的电路。
DC电流增益 (hFE):在5V和2mA的条件下,BC858AW-7-F的最小DC电流增益为125,这一高增益值使其在信号放大应用中非常高效。
工作温度范围:该器件的工作温度范围为-65°C至150°C(TJ),让其在极端环境条件下仍能正常工作,适合各种工业和航空航天应用。
频率特性:BC858AW-7-F具有高达200MHz的跃迁频率,适合于高频信号处理和无线通信应用。
封装和安装:采用SOT-323封装,BC858AW-7-F适合表面贴装(SMD),有助于提高电路板的空间利用率,并支持自动化的生产流程。
BC858AW-7-F由于其卓越的性能参数,被广泛应用于以下领域:
音频放大器:用于音频电子产品中,实现信号的有效放大,提高声音质量。
开关电路:可用作低功率开关,适合用于家用电器和小型设备的控制系统。
电流传感器:在电流监测和控制电路中,用于采集和放大信号。
便携式电子设备:其低功耗特性使其成为便携式设备的理想选择,如手持设备与无线通信终端。
工业控制:适用于各种工业控制电路,尤其是在恶劣环境下运行的设备。
BC858AW-7-F是一款高性能、低功耗的PNP型晶体管,凭借其出色的电流增益、低饱和压降和广阔的工作温度范围,成为现代电子设计中不可或缺的元器件。无论是在家用电器、工业设备还是便携式电子产品中,它都为设计师提供了广泛的应用潜力,为构建高效、可靠的电子系统提供了卓越的支持。