注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN2300UFB-7B
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
X1-DFN1006-3
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 468mW 20V 1.32A 1个N沟道 X1-DFN1006-3
库存 :
6300(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.646按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.646
--
100+
￥0.445
--
500+
￥0.406
--
2500+
￥0.375
--
5000+
￥0.35
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2300UFB-7B参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.32A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 175 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .89nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 67.62pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 468mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
DMN2300UFB-7B手册
无数据
DMN2300UFB-7B概述
DMN2300UFB-7B 产品概述
产品简介
DMN2300UFB-7B 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应管），专为要求严苛的应用而设计。该器件采用先进的半导体技术，能够在高频开关电源、负载切换、电机控制及其它高效能电路中提供出色的性能和可靠性。作为 DIODES（美台）公司的一款优质产品，DMN2300UFB-7B 的结构设计与性能参数使其在行业中广受关注，适用于各种工业和商业电子产品。
关键规格
- 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 20V
- 25°C 时连续漏极电流 (Id): 1.32A
- 驱动电压: 1.8V（最小）至 4.5V（最大）
- 最大 Rds(On) at Id=300mA, Vgs=4.5V: 175 毫欧
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 950mV @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 0.89nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 67.62pF @ 20V
- 功率耗散 (Pd): 最大值 468mW
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装形式: X1-DFN1006-3（表面贴装型）
技术优势
DMN2300UFB-7B 的设计旨在优化功率损失及热管理，其低导通电阻 (Rds(On)) 在较低的驱动电压下可有效降低电源消耗。这使得该 MOSFET 非常适合低功耗应用，特别是在移动设备和电池供电的电路中。此外，优越的阈值电压特性（Vgs(th)）使其在多种驱动条件下均能高效工作，确保电流能够迅速且稳定地开启和关闭。
该器件的高工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于恶劣环境，例如工业自动化和汽车电子应用。结合其小型化的 DFN 封装设计，DMN2300UFB-7B 也非常适合空间受限的产品设计。
应用领域
由于其杰出的性能，DMN2300UFB-7B 被广泛应用于多种领域：
- 开关电源: 在 DC-DC 转换器和其他电源模块中，利用其高效开关特性来实现高效的电源转换。
- 负载切换: 仅需低电压启用，即可在负载开关应用中实现高效的切换操作。
- 电机控制: 在电动机的驱动和控制电路中，为控制开关和驱动提供简化的设计和可靠的性能。
- 便携式设备: 由于其低功耗要求，非常适合用于手机、平板电脑及其他小型电子产品。
结论
总体而言，DMN2300UFB-7B 是一款出色的 N 通道 MOSFET，凭借其高性能、高效率和广泛的应用可能性，为各类电子产品的设计和开发提供了强大的支持。无论是在工业控制、移动设备，还是在更复杂的电力管理系统中，DMN2300UFB-7B 都展示了卓越的性能和可靠的稳定性，是设计工程师在元器件选择时的重要考虑之一。