DMP213DUFA-7B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP213DUFA-7B

商品编码: BM0084328075
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X2DFN08063
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -125mA; Idm: -0.5A; 360mW
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.541
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.541
--
100+
¥0.374
--
500+
¥0.339
--
2500+
¥0.314
--
5000+
¥0.294
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP213DUFA-7B参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)25V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)145mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.7V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值).35nC @ 4.5V
Vgs(最大值)-8V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)27.2pF @ 10V
功率耗散(最大值)360mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装X2-DFN0806-3
封装/外壳3-XFDFN

DMP213DUFA-7B手册

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DMP213DUFA-7B概述

DMP213DUFA-7B 产品概述

一、基本介绍

DMP213DUFA-7B是一款由DIODES(美台半导体)生产的P型MOSFET(场效应晶体管),采用X2-DFN0806-3封装形式。该元器件广泛应用于电机驱动、电源管理、开关电路以及电池供电设备中,其优良的电流、电压和温度特性使其在现代电子产品设计中具有重要地位。

二、产品规格

DMP213DUFA-7B的主要技术参数如下:

  • FET类型:P通道MOSFET
  • 漏源电压(Vdss):25V,适合多个高压应用环境
  • 连续漏极电流(Id):在25°C时最大可达到145mA,适合中小电流的开关需求
  • 驱动电压:以2.7V和4.5V为基准的最小及最大Rds(on)值,能够在相对较低的栅极电压下工作
  • 导通电阻(Rds(on)):在200mA和4.5V条件下,其最大导通电阻为10欧姆,降低了开关损耗
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大1.5V(@250µA),确保设备能够在较小的控制信号下开启
  • 栅极电荷(Qg):在4.5V下为最大0.35nC,适合快速开关应用
  • 最大栅极源电压(Vgs):-8V,确保保护电路的稳定性
  • 输入电容(Ciss):27.2pF(@10V),较小的输入电容意味着更快的开关速度
  • 功率耗散:最大360mW,为器件在高密度应用中提供了更好的散热能力
  • 工作温度范围:从-55°C到150°C,适应广泛的环境条件
  • 安装类型:表面贴装型(SMD),便于自动化焊接和组装
  • 封装形式:3-XFDFN,体积小巧,有助于电子产品的迷你化设计

三、应用场景

DMP213DUFA-7B在多个领域均具有广泛的应用潜力,包括但不限于:

  1. 电源管理:在DC-DC转换器和线性调节器中用于开关控制,与其他元器件组合实现高效的电源转换。
  2. 电池驱动设备:适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等,保证操作稳定性。
  3. 电机控制:在小型电机驱动电路中充当开关元件,增大电机启动和熄火的效率,尤其在步进电机和直流电机应用中表现卓越。
  4. LED驱动:作为照明设备中的调光控制元件,实现亮度调节,延长LED工作寿命。

四、结论

DMP213DUFA-7B是一个强大而高效的P型MOSFET,具有众多优异特性,特别是低开关损耗和广泛的工作温度范围,使其适合于各种应用场合。凭借其小巧的封装设计和强大的电流处理能力,为现代电子产品设计提供了良好的解决方案。

该产品在工程师设计时,需关注其最大功率耗散和导通电阻,以确保在实际应用中达到预期的性能要求。同时,考虑到该MOSFET的高温工作特性,其适用于更为严苛的工业和消费类电子环境,是为设计师提供的优秀解决方案之一。