FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 145mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.7V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 欧姆 @ 200mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .35nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | -8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 27.2pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 360mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN0806-3 |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMP213DUFA-7B是一款由DIODES(美台半导体)生产的P型MOSFET(场效应晶体管),采用X2-DFN0806-3封装形式。该元器件广泛应用于电机驱动、电源管理、开关电路以及电池供电设备中,其优良的电流、电压和温度特性使其在现代电子产品设计中具有重要地位。
DMP213DUFA-7B的主要技术参数如下:
DMP213DUFA-7B在多个领域均具有广泛的应用潜力,包括但不限于:
DMP213DUFA-7B是一个强大而高效的P型MOSFET,具有众多优异特性,特别是低开关损耗和广泛的工作温度范围,使其适合于各种应用场合。凭借其小巧的封装设计和强大的电流处理能力,为现代电子产品设计提供了良好的解决方案。
该产品在工程师设计时,需关注其最大功率耗散和导通电阻,以确保在实际应用中达到预期的性能要求。同时,考虑到该MOSFET的高温工作特性,其适用于更为严苛的工业和消费类电子环境,是为设计师提供的优秀解决方案之一。